FF23MR12W1M1PB11BPSA1

FF23MR12W1M1P_B11 EasyDUALModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC/TIM EasyDUALmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC/TIM VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = 100A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2019-01-16 FF23MR12W1M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V 1200  V ID nom  50  A ID pulse  100  A -10 / 20  V Tvj = 25°C VDSS TH = 80°C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS   CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 50 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=20,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 22,5 29,5 33,0 max. 4,50 5,55 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,124 µC Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω Ciss 3,68 nF Coss 0,22 nF Crss 0,028 nF Eoss 88,0 µJ IDSS 0,20 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 11,0 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 53,0 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proMOSFET/perMOSFET validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 210 400 IGSS 12,0 11,3 8,90 10,0 9,60 9,20 43,5 43,5 43,5 12,0 12,0 12,0 0,49 0,535 0,559 0,094 0,094 0,091 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH nA ns ns ns ns mJ mJ 420 410 ISC µA A A 0,748 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 80°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 16 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.0 2019-01-16 FF23MR12W1M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  140 VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ. F Gewicht Weight G  °C max. 9,0 -40 TBPmax Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp  kV 3,0 20 24 nH 125 °C 125 °C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Storage and Shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.0 2019-01-16 FF23MR12W1M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=1Ω TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 110 10 Zth: MOSFET 100 ID, Modul ID, Chip 90 80 1 ZthJH [K/W] ID [A] 70 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,062 0,25 0,245 0,191 τi[s]: 0,000873 0,0128 0,0967 0,0967 10 0 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 0,01 0,001 1400 AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 1 10 100 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 90 Tvj = 25°C 90 80 80 70 70 60 60 ID [A] ID [A] 0,1 t [s] ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 100 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,01 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 4 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 V2.0 2019-01-16 FF23MR12W1M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1,0Ω,RGoff=1,0Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=50A,VDS=600V 0,8 1,4 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C 0,7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C 1,3 1,2 1,1 0,6 1,0 0,9 0,5 E [mJ] E [mJ] 0,8 0,4 0,7 0,6 0,3 0,5 0,4 0,2 0,3 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 ID [A] 70 80 90 100 0,0 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 5 V2.0 2019-01-16 FF23MR12W1M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 6 V2.0 2019-01-16 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-01-16 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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