FF2MR12KM1
62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET
62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VDSS = 1200V
ID nom = 500A / IDRM = 1000A
PotentielleAnwendungen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• DC/DCWandler
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
PotentialApplications
• HighFrequencySwitchingapplication
• DC/DCconverter
• Solarapplications
• UPSsystems
ElektrischeEigenschaften
• HoheStromdichte
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• Highcurrentdensity
• Lowswitchinglosses
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourcevoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom
Pulseddraincurrent
Gate-SourceSpannung
Gate-sourcevoltage
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
Tvj = 25°C
VDSS
1200
V
TC = 85°C
ID nom
500
A
ID pulse
1000
A
-10 / 20
V
verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax
verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax
VGSS
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
ID = 500 A
VGS = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
GesamtGateladung
Totalgatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
COSSSpeicherenergie
COSSstoredenergy
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
ID=224mA,VDS=VGS,Tvj=25°C
(testedafter1mspulseatVGS=+20V)
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
RDS on
VGS(th)
3,45
typ.
2,13
2,94
3,25
max.
4,50
5,15
mΩ
V
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V
QG
1,34
µC
Tvj = 25°C
RGint
0,8
Ω
Ciss
39,7
nF
Coss
2,20
nF
Crss
0,302
nF
Eoss
880
µJ
IDSS
7,20
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
ID = 500 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 4,30 Ω
ID = 500 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 4,30 Ω
ID = 500 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 3,30 Ω
ID = 500 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 3,30 Ω
ID = 500 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH
di/dt = 7,83 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,30 Ω
ID = 500 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH
du/dt = 7,13 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,30 Ω
VGS = 20 V
VGS = -10 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proMOSFET/perMOSFET
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proMOSFET/perMOSFET
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
400
IGSS
83,4
69,0
69,0
82,2
72,1
72,1
22,0
24,1
24,1
53,0
51,6
51,6
26,4
22,9
22,9
19,6
20,3
20,3
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
RthJC
µA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0,0830 K/W
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
660
0,0200
Tvj op
-40
K/W
150
°C
BodyDiode/Bodydiode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
BodyDiode-Gleichstrom
DCbodydiodeforwardcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TC = 85°C
ISD
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Datasheet
min.
ISD = 500 A, VGS = -5 V
ISD = 500 A, VGS = -5 V
ISD = 500 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2
VSD
A
160
typ.
4,60
4,35
4,30
max.
5,65
V
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4,0
kV
Cu
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
CTI
> 400
RTI
140
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
max.
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,465
mΩ
Tstg
-40
125
°C
6,00
Nm
5,0
Nm
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
Gewicht
Weight
typ.
°C
G
340
g
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Datasheet
3
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
VGS=15V
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
Tvj=150°C
1000
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
900
800
800
700
700
600
600
ID [A]
ID [A]
900
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,5
VGS = 19 V
VGS = 17 V
VGS = 15 V
VGS = 13 V
VGS = 11 V
VGS = 9 V
VGS = 7 V
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch)
transfercharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VGS)
VDS=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VDS [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
GateladungsCharakteristikMOSFET(typisch)
gatechargecharacteristicMOSFET(typical)
VGS=f(QG)
VDS=800V,ID=500A,Tvj=25°C
1000
15
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
900
800
10
700
VGS [V]
ID [A]
600
500
5
400
300
0
200
100
0
2
Datasheet
3
4
5
6
7
VGS [V]
8
9
10
-5
11
4
0
200
400
600
800
QG [nC]
1000
1200
1400
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
KapazitätsCharakteristikMOSFET(typisch)
capacitycharacteristicMOSFET(typical)
C=f(VDS)
VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(ID),Eoff=f(ID)
VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,3Ω,VDS=600V
100
55
Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
50
Ciss
Coss
Crss
45
40
10
35
C [nF]
E [mJ]
30
25
20
1
15
10
5
0,1
0,1
1
10
VDS [V]
100
0
1000
0
200
400
600
800
1000
ID [A]
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGS=-5V/+15V,ID=500A,VDS=600V
SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA)
ID=f(VDS)
VGS=-5V/+15V,RGoff=3,3Ω,Tvj=150°C
300
1100
Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
275
1000
250
ID: Modul
ID: Chip
900
225
800
200
700
ID [A]
E [mJ]
175
150
600
500
125
400
100
300
75
50
200
25
100
0
0
Datasheet
4
8
12
16
20 24
RG [Ω]
28
32
36
40
0
44
5
0
200
400
600
800
VDS [V]
1000
1200
1400
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
ZthJC=f(t)
1
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0106 0,0514 0,0156 0,0054
τi[s]:
0,0082 0,0421 0,185 1,39
0,001
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
6
V2.0
2020-04-28
FF2MR12KM1
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
7
V2.0
2020-04-28
Trademarks
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Edition2020-04-28
Publishedby
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81726München,Germany
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