FF2MR12KM1PHOSA1

FF2MR12KM1P 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundbereitsaufgetragenemThermalInterface Material 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandpre-appliedThermalInterfaceMaterial VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 500A / IDRM = 1000A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS  1200  V TH = 60°C ID nom  500  A ID pulse  1000  A -10 / 20  V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 500 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=224mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 2,13 2,94 3,25 max. 4,50 5,15 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 1,34 µC Tvj = 25°C RGint 0,8 Ω Ciss 39,7 nF Coss 2,20 nF Crss 0,302 nF Eoss 880 µJ IDSS 7,20 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V VGS = 20 V Tvj = 25°C VGS = -10 V ID = 500 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 / 15 V Tvj = 125°C RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 500 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 / 15 V Tvj = 125°C RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 500 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,30 Ω Tvj = 150°C ID = 500 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,30 Ω Tvj = 150°C ID = 500 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C di/dt = 7,83 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 / 15 V, RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 500 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C du/dt = 7,13 kV/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 / 15 V, RGoff = 3,30 Ω Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 660 400 IGSS 83,4 69,0 69,0 82,2 72,1 72,1 22,0 24,1 24,1 53,0 51,6 51,6 26,4 22,9 22,9 19,6 20,3 20,3 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH µA nA ns ns ns ns mJ mJ 0,104 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 60°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 500 A, VGS = -5 V ISD = 500 A, VGS = -5 V ISD = 500 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 160 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm CTI  > 400  RTI  140 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' 0,465 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ.  °C G 340 125 °C 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 3 V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 1000 1000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 900 800 800 700 700 600 600 ID [A] ID [A] 900 500 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0,0 0,5 VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VDS [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 GateladungsCharakteristikMOSFET(typisch) gatechargecharacteristicMOSFET(typical) VGS=f(QG) VDS=800V,ID=500A,Tvj=25°C 1000 15 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 900 800 10 700 VGS [V] ID [A] 600 500 5 400 300 0 200 100 0 2 Datasheet 3 4 5 6 7 VGS [V] 8 9 10 -5 11 4 0 200 400 600 800 QG [µC] 1000 1200 1400 V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData KapazitätsCharakteristikMOSFET(typisch) capacitycharacteristicMOSFET(typical) C=f(VDS) VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,3Ω,VDS=600V 100 55 Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 50 Ciss Coss Crss 45 40 10 35 C [nF] E [mJ] 30 25 20 1 15 10 5 0,1 0,1 1 10 VDS [V] 100 0 1000 0 200 400 600 800 1000 ID [A] SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=500A,VDS=600V SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,3Ω,VDS=600V,Tvj=150°C 300 1100 Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 275 1000 250 ID: Modul ID: Chip 900 225 800 200 700 ID [A] E [mJ] 175 150 600 500 125 400 100 300 75 50 200 25 100 0 0 Datasheet 4 8 12 16 20 24 RG [Ω] 28 32 36 40 0 44 5 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 1 ZthJH [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,017 0,0513 0,0268 0,0089 τi[s]: 0,011 0,0548 0,322 2,11 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 6 V2.0 2020-05-11 FF2MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 7 V2.0 2020-05-11 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-05-11 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.