FF3MR12KM1PHOSA1

FF3MR12KM1P 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundbereitsaufgetragenemThermalInterface Material 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandpre-appliedThermalInterfaceMaterial VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 375A / IDRM = 750A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS  1200  V TH = 60°C ID nom  375  A ID pulse  750  A -10 / 20  V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 375 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=168mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 2,83 3,92 4,33 max. 4,50 5,15 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 1,00 µC Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω Ciss 29,8 nF Coss 1,65 nF Crss 0,227 nF Eoss 660 µJ IDSS 5,40 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 25 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 25 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 25 V, VGS = 0 V Tvj = 25°C VDS = 25 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V VGS = 20 V Tvj = 25°C VGS = -10 V ID = 375 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 375 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 375 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,60 Ω Tvj = 150°C ID = 375 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C RGoff = 3,60 Ω Tvj = 150°C ID = 375 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C di/dt = 7,05 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,30 Ω Tvj = 150°C ID = 375 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH Tvj = 25°C du/dt = 7,67 kV/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,60 Ω Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 520 400 IGSS 79,4 71,6 71,6 198 219 219 69,3 60,4 60,4 51,5 46,8 46,8 18,5 16,0 16,0 13,0 13,5 13,5 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH µA nA ns ns ns ns mJ mJ 0,140 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 60°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 375 A, VGS = -5 V ISD = 375 A, VGS = -5 V ISD = 375 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 120 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm CTI  > 400  RTI  140 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' 0,475 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ.  °C G 340 125 °C 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 3 V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 750 750 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 675 600 600 525 525 450 450 ID [A] ID [A] 675 375 375 300 300 225 225 150 150 75 75 0 0,0 0,5 VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VDS [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 GateladungsCharakteristikMOSFET(typisch) gatechargecharacteristicMOSFET(typical) VGS=f(QG) VDS=800V,ID=375A,Tvj=25°C 750 15 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 675 600 10 525 VGS [V] ID [A] 450 375 5 300 225 0 150 75 0 2 Datasheet 3 4 5 6 7 VGS [V] 8 9 10 -5 11 4 0 200 400 600 QG [nC] 800 1000 V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData KapazitätsCharakteristikMOSFET(typisch) capacitycharacteristicMOSFET(typical) C=f(VDS) VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,6Ω,VDS=600V 100 35 Ciss Coss Crss Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 30 25 10 C [nF] E [mJ] 20 15 1 10 5 0,1 0,1 1 10 VDS [V] 100 0 1000 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=375A,VDS=600V 0 75 150 225 300 375 450 525 600 675 750 ID [A] SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,6Ω,TVj=150°C 180 825 Eon: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 750 160 ID: Modul ID: Chip 675 140 600 525 100 ID [A] E [mJ] 120 80 450 375 300 60 225 40 150 20 0 75 0 Datasheet 5 10 15 20 25 RG [Ω] 30 35 40 0 45 5 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 1 ZthJH [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0118 0,0671 0,0457 0,0154 τi[s]: 0,00395 0,0339 0,165 1,32 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 6 V2.0 2020-05-20 FF3MR12KM1P VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 7 V2.0 2020-05-20 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-05-20 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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