FF45MR12W1M1B11BOMA1

FF45MR12W1M1_B11 EasyDUALModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData J VDSS = 1200V ID nom = 25A / IDRM = 50A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • Motorantriebe • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Motordrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V 1200  V ID nom  25  A ID pulse  50,0  A -10 / 20  V Tvj = 25°C VDSS TH = 75°C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS   CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 25 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=10,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 45,0 59,0 66,0 max. 4,50 5,55 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 600 V QG 0,062 µC Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω Ciss 1,84 nF Coss 0,11 nF Crss 0,014 nF Eoss 44,0 µJ IDSS 0,10 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH di/dt = 5,20 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH du/dt = 41,6 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 120 400 IGSS 8,20 7,40 7,40 6,30 6,70 6,70 35,2 38,9 38,9 16,4 16,4 16,4 0,30 0,37 0,37 0,033 0,035 0,035 td on tr td off tf Eon Eoff µA nA ns ns ns ns mJ mJ ISC 210 205 A A RthJH 1,54 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 75°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 8 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  140 VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 3,0 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G typ.  °C max. 18 24 nH 125 °C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidlines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 50 50 TVj = 25 °C TVj = 125 °C TVj = 150 °C 45 40 40 35 35 30 30 ID [A] ID [A] 45 Tvj = 25 °C 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(ID),tr=f(ID),tdoff=f(ID),tf=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V,Tvj=150°C 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 9 10 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V,Tvj=150°C 1 1 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf t [µs] 0,1 t [µs] 0,1 0,01 0,001 0,01 0 Datasheet 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 50 0,001 4 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ohm] 7 8 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V 0,70 0,70 Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C, Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C, Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C 0,50 0,50 0,40 0,40 E [mJ] 0,60 E [mJ] 0,60 0,30 0,30 0,20 0,20 0,10 0,10 0,00 0 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 0,00 50 SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=1Ω 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 55 10 ID, Modul ID, Chip 50 Zth: MOSFET 45 1 40 ZthJH [K/W] ID [A] 35 30 25 0,1 20 15 0,01 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,076 0,221 0,453 0,79 τi[s]: 0,000603 0,00674 0,0363 0,161 5 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 0,001 0,001 5 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 6 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 7 V2.2 2020-03-27 Trademarks All referenced product or service names and trademarks are the property of their respective owners. Edition 2020-03-27 Published by Infineon Technologies AG 81726 München, Germany © 2020 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Do you have a question about this document? Email: erratum@infineon.com WICHTIGER HINWEIS Die in diesem Dokument enthaltenen Angaben stellen keinesfalls Garantien für die Beschaffenheit oder Eigenschaften des Produktes (“Beschaffenheitsgarantie“) dar. Für Beispiele, Hinweise oder typische Werte, die in diesem Dokument enthalten sind, und/oder Angaben, die sich auf die Anwendung des Produktes beziehen, ist jegliche Gewährleistung und Haftung von Infineon Technologies ausgeschlossen, einschließlich, ohne hierauf beschränkt zu sein, die Gewähr dafür, dass kein geistiges Eigentum Dritter verletzt ist. Des Weiteren stehen sämtliche, in diesem Dokument enthaltenen Informationen, unter dem Vorbehalt der Einhaltung der in diesem Dokument festgelegten Verpflichtungen des Kunden sowie aller im Hinblick auf das Produkt des Kunden sowie die Nutzung des Infineon Produktes in den Anwendungen des Kunden anwendbaren gesetzlichen Anforderungen, Normen und Standards durch den Kunden. Die in diesem Dokument enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für die beabsichtigte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der in diesem Dokument enthaltenen Produktdaten für diese Anwendung obliegt den technischen Fachabteilungen des Kunden. Sollten Sie von uns weitere Informationen im Zusammenhang mit dem Produkt, der Technologie, Lieferbedingungen bzw. Preisen benötigen, wenden Sie sich bitte an das nächste Vertriebsbüro von Infineon Technologies (www.infineon.com). WARNHINWEIS Aufgrund der technischen Anforderungen können Produkte gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Fragen zu den in diesem Produkt enthaltenen Substanzen, setzen Sie sich bitte mit dem nächsten Vertriebsbüro von Infineon Technologies in Verbindung. Sofern Infineon Technologies nicht ausdrücklich in einem schriftlichen, von vertretungsberechtigten Infineon Mitarbeitern unterzeichneten Dokument zugestimmt hat, dürfen Produkte von Infineon Technologies nicht in Anwendungen eingesetzt werden, in welchen vernünftigerweise erwartet werden kann, dass ein Fehler des Produktes oder die Folgen der Nutzung des Produktes zu Personenverletzungen führen. IMPORTANT NOTICE The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics (“Beschaffenheitsgarantie”). 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