FF6MR12KM1BOSA1

FF6MR12KM1 62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 250A / IDRM = 500A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS  1200  V TC = 65°C ID nom  250  A ID pulse  500  A -10 / 20  V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 250 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=80,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 5,81 7,56 8,50 max. 4,50 5,15 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,496 µC Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω Ciss 14,7 nF Coss 0,88 nF Crss 0,112 nF Eoss 352 µJ IDSS 0,80 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 250 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 3,00 Ω ID = 250 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 3,00 Ω ID = 250 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,90 Ω ID = 250 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,90 Ω ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH di/dt = 8,95 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 3,00 Ω ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH du/dt = 12,9 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,90 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse proMOSFET/perMOSFET Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proMOSFET/perMOSFET Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 400 IGSS 69,1 66,4 65,5 33,7 32,0 31,9 124 134 134 43,9 45,2 45,2 4,26 4,75 4,95 5,72 5,99 5,99 td on tr td off tf Eon Eoff RthJC µA nA ns ns ns ns mJ mJ 0,141 K/W RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 660 0,0490 Tvj op -40 K/W 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TC = 65°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 250 A, VGS = -5 V ISD = 250 A, VGS = -5 V ISD = 250 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 110 typ. 4,80 4,55 4,50 max. 5,85 V V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm CTI  > 400  RTI  140 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,485 mΩ Tstg -40 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight typ.  °C G 340 g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 500 500 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 450 400 400 350 350 300 300 ID [A] ID [A] 450 250 250 200 200 150 150 100 100 50 50 0 VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 VDS [V] ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 VDS [V] GateladungsCharakteristikMOSFET(typisch) gatechargecharacteristicMOSFET(typical) VGS=f(QG) VDS=800V,ID=250A,Tvj=25°C 500 15 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 450 400 10 350 VGS [V] ID [A] 300 250 5 200 150 0 100 50 0 3 Datasheet 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 -5 12 4 0 100 200 300 QG [nC] 400 500 V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData KapazitätsCharakteristikMOSFET(typisch) capacitycharacteristicMOSFET(typical) C=f(VDS) VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=3,0Ω,RGoff=3,9Ω,VDS=600V 100 18 Ciss Coss Crss Eon: Tvj = 125°C Eon: Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 16 14 10 12 C [nF] E [mJ] 10 8 1 6 4 2 0,1 0,1 1 10 VDS [V] 100 0 1000 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=250A,VDS=600V 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 ID [A] SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,9Ω,Tvj=150°C 45 550 Eon: Tvj = 125°C Eon: Tvj = 150°C Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C 40 500 ID, Modul ID, Chip 450 35 400 350 25 ID [A] E [mJ] 30 20 300 250 200 15 150 10 100 5 0 50 0 Datasheet 4 8 12 16 20 24 RG [Ω] 28 32 36 0 40 5 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJC=f(t) 1 ZthJC [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0128 0,0489 0,0655 0,0138 τi[s]: 0,000786 0,0118 0,053 0,875 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 6 V2.0 2020-04-29 FF6MR12KM1 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 7 V2.0 2020-04-29 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-04-29 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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