FF800R17KP4B2NOSA2

FF800R17KP4_B2 IHM-AModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • Traktionsumrichter • Windgeneratoren PotentialApplications • Highpowerconverters • Mediumvoltageconverters • Motordrives • Tractiondrives • Windturbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C • VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • LowVCEsat • Tvjop=150°C • Enlargeddiodeforregenerativeoperation MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C ICDC IC  800 1200  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1600  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 1,80 2,10 2,20 2,20 2,60 2,70 V V V 5,80 6,40 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 8,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, Lσ = 50 nH VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, Lσ = 50 nH du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,8 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,59 0,63 0,64 µs µs µs 0,14 0,16 0,16 µs µs µs 1,00 1,15 1,15 µs µs µs 0,32 0,50 0,55 µs µs µs Eon 145 215 245 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 255 330 365 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 3400 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,20 2 25,7 K/kW 22,8 -40 K/kW 150 °C V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  1700  V IF  800  A IFRM  1600  A I²t  240 210  PRQM  1200  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,55 1,60 1,65 2,00 2,05 2,10 IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1000 1150 1200 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 240 410 450 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 160 280 325 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V V 36,8 K/kW 30,0 -40 K/kW 150 °C V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage VISOL  RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate  kV 4,0  AlSiC  InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AlN  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  15,0 15,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 10,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' 0,33 mΩ Tstg -40 125 °C 4,25 5,75 Nm M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M G 4 max. 20 SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Datasheet typ. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight  > 600 min. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 920 g V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 1400 1000 1000 IC [A] 1200 IC [A] 1200 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 VGE = 20 V VGE = 15 V VGE = 12 V VGE = 10 V VGE = 9 V VGE = 8 V 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=900V 1600 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 750 700 650 1200 600 550 1000 500 E [mJ] IC [A] 450 800 400 350 600 300 250 400 200 150 200 100 50 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1100 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 1000 ZthJC : IGBT 900 800 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 700 600 500 1 400 300 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,219 15,08 4,624 1,783 τi[s]: 0,002 0,045 0,539 6,941 200 100 0,1 0,001 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C 2000 1 10 15 VCC = 900 V 13 11 1600 9 7 1400 5 1200 3 1 VGE [V] IC [A] 1000 -1 800 -3 -5 600 -7 400 -9 -11 200 0 0,1 t [s] GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=800A,Tvj=25°C IC, Modul IC, Chip 1800 0,01 -13 0 Datasheet 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] -15 6 0 1 2 3 4 5 QG [µC] 6 7 8 9 V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.8Ω,VCE=900V 1600 450 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 400 1000 300 E [mJ] 350 IF [A] 1200 800 250 600 200 400 150 200 100 0 50 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 350 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 300 E [mJ] ZthJC [K/kW] 250 10 200 150 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 6,699 22,012 6,296 1,796 τi[s]: 0,002 0,05 0,427 7,014 100 0 Datasheet 1 2 3 4 RG [Ω] 5 6 7 1 0,001 8 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 1800 IR, Modul 1600 1400 1200 IR [A] 1000 800 600 400 200 0 0 Datasheet 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] 8 V3.2 2018-12-05 FF800R17KP4_B2 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 9 V3.2 2018-12-05 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-12-05 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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