FF8MR12W2M1PB11BPSA1

FF8MR12W2M1P_B11 EasyDUALModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC/TIM EasyDUALmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC/TIM VorläufigeDaten/PreliminaryData J VDSS = 1200V ID nom = 150A / IDRM = 300A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2019-08-01 FF8MR12W2M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS  1200  V TH = 40°C ID nom  150  A ID pulse  300  A -10 / 20  V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 150 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=60,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 7,50 9,83 11,0 max. 4,50 5,55 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,372 µC Tvj = 25°C RGint 0,7 Ω Ciss 11,0 nF Coss 0,66 nF Crss 0,084 nF Eoss 264 µJ IDSS 0,60 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 150 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 2,40 Ω ID = 150 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 2,40 Ω ID = 150 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 2,40 Ω ID = 150 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 2,40 Ω ID = 150 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 11,0 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 2,40 Ω ID = 150 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 25,0 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 2,40 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET 400 IGSS 21,5 20,0 19,5 16,5 16,0 16,0 57,0 61,0 61,0 28,0 28,5 28,5 2,00 2,10 2,20 0,76 0,77 0,77 td on tr td off tf Eon Eoff µA nA ns ns ns ns mJ mJ 1260 1230 ISC RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 530 A A 0,314 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 40°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 150 A, VGS = -5 V ISD = 150 A, VGS = -5 V ISD = 150 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 48 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.0 2019-08-01 FF8MR12W2M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  140 VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ.  °C max. LsCE 8,0 nH RCC'+EE' 0,50 mΩ Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  kV 3,0 -40 TBPmax Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F Gewicht Weight G 40 - 125 °C 125 °C 80 N 39 g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidlines described in AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 3 V2.0 2019-08-01 FF8MR12W2M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 300 300 Tvj = 25°C 250 250 200 200 ID [A] ID [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 150 150 100 100 50 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=2,4Ω,RGoff=2,4Ω,VDS=600V 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=150A,VDS=600V 4,0 18,0 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C 3,5 Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C 16,0 14,0 3,0 12,0 E [mJ] E [mJ] 2,5 2,0 10,0 8,0 1,5 6,0 1,0 4,0 0,5 0,0 2,0 0 Datasheet 50 100 150 ID [A] 200 250 300 0,0 0 5 10 15 20 25 RG [Ω] 4 V2.0 2019-08-01 FF8MR12W2M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,Tvj=150°C,RG=2,4Ω TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 350 1 ID, Modul ID, Chip Zth: MOSFET 300 250 ID [A] ZthJH [K/W] 200 150 0,1 100 50 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0233 0,0817 0,06 0,149 τi[s]: 0,0014 0,0166 0,14 0,14 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(TNTC) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 5 V2.0 2019-08-01 FF8MR12W2M1P_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 6 V2.0 2019-08-01 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-08-01 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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