FP10R12W1T4P
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC/TIM
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC/TIM
VCES = 1200V
IC nom = 10A / ICRM = 20A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
TypicalApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
• TrenchIGBT4
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
ElectricalFeatures
• Lowswitchinglosses
• LowVCEsat
• TrenchIGBT4
• VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• Lötverbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
• Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• Soldercontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom
10
A
ICRM
20
A
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,25
V
V
V
5,80
6,40
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,09
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
0,60
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,024
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 47 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,20
0,045
0,045
0,045
µs
µs
µs
0,044
0,061
0,063
µs
µs
µs
0,18
0,245
0,275
µs
µs
µs
0,165
0,215
0,225
µs
µs
µs
Eon
0,90
1,35
1,55
mJ
mJ
mJ
IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 47 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,55
0,80
0,87
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
35
A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
tr
td off
tf
RthJH
Tvj op
2
1,89 K/W
-40
150
°C
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
16,0
14,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,25
VF
1,75
1,75
1,75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
12,0
10,0
8,00
A
A
A
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,90
1,70
1,90
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,24
0,52
0,59
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
RthJH
V
V
V
2,48 K/W
Tvj op
-40
150
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
30
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 100°C
IRMSM
30
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
300
245
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
450
300
A²s
A²s
Tvj = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 10 A
VF
0,80
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
1,00
mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
RthJH
Tvj op
3
1,49 K/W
-40
150
°C
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom
10
A
ICRM
20
A
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,25
V
V
V
5,80
6,40
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,09
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
0,60
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,024
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 47 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,20
0,045
0,045
0,045
µs
µs
µs
0,044
0,061
0,063
µs
µs
µs
0,18
0,245
0,275
µs
µs
µs
0,165
0,215
0,225
µs
µs
µs
Eon
0,90
1,35
1,55
mJ
mJ
mJ
IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 47 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,55
0,80
0,87
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
35
A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
tr
td off
tf
RthJH
Tvj op
4
1,89 K/W
-40
150
°C
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
16,0
14,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,25
VF
1,75
1,75
1,75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
12,0
10,0
8,00
A
A
A
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,90
1,70
1,90
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,24
0,52
0,59
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
RthJH
Tvj op
V
V
V
2,48 K/W
-40
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
8,00
6,00
mΩ
Tstg
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
kV
2,5
-40
TBPmax
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
Gewicht
Weight
G
20
24
125
°C
125
°C
50
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
6
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
20
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
16
16
14
14
12
12
IC [A]
IC [A]
18
10
8
6
6
4
4
2
2
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
16
18
20
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
14
3,5
12
3,0
E [mJ]
4,0
10
2,5
8
2,0
6
1,5
4
1,0
2
0,5
5
Datasheet
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
16
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=47Ω,RGoff=47Ω,VCE=600V
20
IC [A]
10
8
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
8
9
VGE [V]
10
11
12
13
0,0
7
0
2
4
6
8
10 12
IC [A]
14
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
6,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
5,5
ZthJH : IGBT
5,0
4,5
4,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
3,5
3,0
2,5
1
2,0
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,1773
0,3655
0,8576 0,4896
τi[s]:
0,0006698 0,008378 0,06445 0,1715
0,5
0,0
0
50
0,1
0,001
100 150 200 250 300 350 400 450 500
RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=47Ω,Tvj=150°C
24
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
20
IC, Modul
IC, Chip
22
0,01
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
20
16
18
14
16
12
IF [A]
IC [A]
14
12
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0
Datasheet
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
8
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=47Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=10A,VCE=600V
1,0
0,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,7
0,8
0,6
0,5
E [mJ]
E [mJ]
0,6
0,4
0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,0
0
2
4
6
8
10 12
IF [A]
14
16
18
0,0
20
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 440 480
RG [Ω]
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
20
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
18
16
14
IF [A]
ZthJH [K/W]
12
1
10
8
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2856
0,3232 0,7912 1,08
τi[s]:
0,0006081 0,00462 0,02473 0,09834
0,1
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
2
0
10
9
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
20
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
16
16
14
14
12
12
IF [A]
IC [A]
18
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0,0
0,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
10
V3.0
2017-05-04
FP10R12W1T4P
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
11
V3.0
2017-05-04
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TrademarksupdatedNovember2015
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