FP10R12W1T7_B11
EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC
EasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 10A / ICRM = 20A
PotentielleAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
PotentialApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigesVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Überlastbetriebbiszu175°C
ElectricalFeatures
• LowVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Overloadoperationupto175°C
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1mininsulation
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Highpowerdensity
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
ICDC
10
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
20
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 10 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
0,157
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,89
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,0066
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
V
V
V
5,80
V
6,45
0,0045 mA
100
nA
0,023
0,025
0,026
µs
µs
µs
0,014
0,017
0,019
µs
µs
µs
0,15
0,25
0,305
µs
µs
µs
0,68
0,695
0,70
µs
µs
µs
Eon
0,73
0,94
1,13
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
1,25
1,62
1,87
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
ISC
32
30
A
A
RthJH
2,05
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
2
5,15
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
-40
175
°C
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
10
A
IFRM
20
A
I²t
27,5
24,0
min.
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
A²s
A²s
max.
VF
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
IRM
10,5
15,3
17,5
A
A
A
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Qr
0,97
1,70
2,20
µC
µC
µC
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
0,24
0,51
0,72
mJ
mJ
mJ
RthJH
2,45
K/W
proDiode/perdiode
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
175
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
25
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 100°C
IRMSM
25
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
300
245
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
450
300
A²s
A²s
Tvj = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 10 A
VF
0,80
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
1,00
mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
1,54
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
Tvj op
3
-40
150
°C
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
ICDC
10
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
20
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 10 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
0,157
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,89
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,0066
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
V
V
V
5,80
V
6,45
0,0045 mA
100
nA
0,023
0,025
0,026
µs
µs
µs
0,014
0,017
0,019
µs
µs
µs
0,15
0,25
0,30
µs
µs
µs
0,68
0,695
0,70
µs
µs
µs
Eon
0,73
0,94
1,13
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
1,25
1,62
1,87
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
ISC
32
30
A
A
RthJH
2,05
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
4
5,15
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
-40
175
°C
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
10
A
IFRM
20
A
I²t
27,5
24,0
min.
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
A²s
A²s
max.
VF
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
IRM
10,5
15,3
17,5
A
A
A
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Qr
0,97
1,70
2,20
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
0,24
0,51
0,72
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
2,45
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
175
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
CTI
> 200
RTI
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
°C
140
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
kV
2,5
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
8,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
Gewicht
Weight
G
24
125
°C
50
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet
6
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=175°C
20
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
18
16
16
14
14
12
12
IC [A]
IC [A]
18
10
8
6
6
4
4
2
2
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
16
18
20
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
18
14
3,5
12
3,0
E [mJ]
4,0
10
2,5
8
2,0
6
1,5
4
1,0
2
0,5
5
Datasheet
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
4,5
16
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V
20
IC [A]
10
8
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
8
9
10
VGE [V]
11
12
13
14
0,0
7
0
2
4
6
8
10 12
IC [A]
14
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V,Tvj=175°C
5,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
4,5
tdon
tr
tdoff
tf
4,0
1
3,5
0,1
t [µs]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
0,01
1,5
1,0
0,001
0,5
0,0
0
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
80
90
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V,Tvj=175°C
0,0001
0
2
4
6
8
10 12
IC [A]
14
16
18
20
80
90
dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch)
dv/dtIGBT,Inverter(typical)
dv/dt=f(RG)
VGE=±15V,VCE=600V,Tvj=25°C
10
10
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10 Inom
dv/dt-off at Inom
9
8
7
1
t [µs]
dv/dt [V/ns]
6
5
4
0,1
3
2
1
0,01
0
Datasheet
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
80
0
90
8
0
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=175°C
24
10
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
22
20
18
14
IC [A]
ZthJH [K/W]
16
1
12
10
8
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,139
0,423
0,744 0,744
τi[s]:
0,000798 0,00727 0,0549 0,198
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
2
0
10
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
1400
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=10A,Tvj=25°C
10
15
Cies
Coes
Cres
VCE = 600 V
12
9
1
6
VGE [V]
C [nF]
3
0,1
0
-3
-6
0,01
-9
-12
0,001
0
Datasheet
10
20
30
40
50 60
VCE [V]
70
80
90
100
-15
0,00
9
0,02
0,04
0,06
0,08 0,10
QG [µC]
0,12
0,14
0,16
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=8.2Ω,VCE=600V
20
1,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
0,9
16
0,8
14
0,7
12
0,6
E [mJ]
IF [A]
18
10
0,5
8
0,4
6
0,3
4
0,2
2
0,1
0
0,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
2,5
0
2
4
6
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=10A,VCE=600V
8
10 12
IF [A]
14
16
18
20
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
1,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
0,9
ZthJH : Diode
0,8
0,7
ZthJH [K/W]
E [mJ]
0,6
0,5
1
0,4
0,3
0,2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,178
0,508 1
0,764
τi[s]:
0,000719 0,0064 0,0428 0,184
0,1
0,0
0
Datasheet
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
80
90
0,1
0,001
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter
transientthermalimpedanceDiode,Rectifier
ZthJH=f(t)
20
10
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
18
ZthJH: Diode
16
14
1
ZthJH [K/W]
IF [A]
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,086
0,208 0,706 0,54
τi[s]:
0,00145 0,0162 0,0831 0,282
2
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
0,01
0,001
1,4
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
1
10
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
18
16
16
14
14
12
12
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0,0
Datasheet
0,5
1,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
18
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
20
0
0,01
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
0
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
11
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
12
V2.1
2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
13
V2.1
2018-12-06
Trademarks
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Edition2018-12-06
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