FP25R12W2T7B11BPSA1

FP25R12W2T7_B11 EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A PotentielleAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe PotentialApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Überlastbetriebbiszu175°C ElectricalFeatures • LowVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Overloadoperationupto175°C MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Highpowerdensity • Compactdesign • PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 105°C, Tvj max = 175°C ICDC  25  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  50  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,525 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,395 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,77 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,017 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 25°C IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 650 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 6,2 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT Datasheet 5,80 V 6,45 0,0056 mA 100 nA 0,035 0,036 0,043 µs µs µs 0,021 0,026 0,031 µs µs µs 0,19 0,26 0,38 µs µs µs 0,19 0,27 0,29 µs µs µs Eon 1,78 2,57 3,18 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 1,68 2,67 3,20 mJ mJ mJ tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C ISC 80 75 A A RthJH 1,25 K/W td on tr td off tf Tvj op 2 5,15 V V V IGES Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VCE sat 1,60 t.b.d. 1,74 1,82 -40 175 °C V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C  25  A IFRM  50  A I²t  72,5 63,0 min. IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ.  A²s A²s max. VF 1,83 t.b.d. 1,70 1,63 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C IRM 20,5 26,4 30,2 A A A IF = 25 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Qr 2,47 4,31 5,62 µC µC µC IF = 25 A, - diF/dt = 650 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec 0,94 1,48 1,85 mJ mJ mJ RthJH 1,73 K/W proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 100°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  45  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 370  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1010 685  A²s A²s Tvj = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 25 A VF 0,88 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,36 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 -40 150 °C V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 105°C, Tvj max = 175°C ICDC  25  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  50  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,525 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,395 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,77 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,017 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 25°C IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 650 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 6,2 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT Datasheet 5,80 V 6,45 0,0056 mA 100 nA 0,034 0,035 0,041 µs µs µs 0,022 0,026 0,033 µs µs µs 0,19 0,25 0,37 µs µs µs 0,17 0,27 0,29 µs µs µs Eon 1,66 2,32 2,94 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 1,73 2,68 3,32 mJ mJ mJ tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C ISC 80 75 A A RthJH 1,25 K/W td on tr td off tf Tvj op 4 5,15 V V V IGES Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VCE sat 1,60 t.b.d. 1,74 1,82 -40 175 °C V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C  10  A IFRM  20  A I²t  27,5 24,0 min. IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ.  A²s A²s max. VF 1,72 t.b.d. 1,59 1,52 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C IRM 9,81 14,7 16,1 A A A IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Qr 0,93 1,66 2,12 µC µC µC IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec 0,25 0,51 0,72 mJ mJ mJ RthJH 2,44 K/W proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AI203  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  °C 140 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  kV 2,5 typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G 39 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14. Datasheet 6 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 50 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 45 40 40 35 35 30 30 IC [A] IC [A] 45 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 40 45 50 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=6.2Ω,VCE=600V 50 11 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 45 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 10 9 40 8 35 7 6 E [mJ] IC [A] 30 25 5 20 4 15 3 10 2 5 0 1 5 Datasheet 6 7 8 9 10 VGE [V] 11 12 13 0 14 7 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=6.2Ω,VCE=600V,Tvj=175°C 10 10 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 9 tdon tr tdoff tf 8 1 7 t [µs] E [mJ] 6 5 0,1 4 3 0,01 2 1 0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V,Tvj=175°C, 0,001 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 40 45 50 dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch) dv/dtIGBT,Inverter(typical) dv/dt=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V,Tvj=25°C 10 10 tdon tr tdoff tf dv/dt-on at 1/10 × IC dv/dt-off at IC 9 8 7 1 t [µs] dv/dt [V/ns] 6 5 4 0,1 3 2 1 0,01 0 Datasheet 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 0 70 8 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.2Ω,Tvj=175°C 60 10 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 55 50 45 1 40 IC [A] ZthJH [K/W] 35 30 25 0,1 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,06 0,133 0,275 0,782 τi[s]: 0,000554 0,00553 0,0249 0,144 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=25A,Tvj=25°C 100 15 Cies Coes Cres VCC = 600V 10 10 5 C [nF] VGE [V] 1 0 0,1 -5 0,01 0,001 -10 0 Datasheet 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 -15 0,00 9 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 QG [µC] 0,30 0,35 0,40 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=6.2Ω,VCE=600V 50 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 45 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 2,5 40 35 2,0 E [mJ] IF [A] 30 25 1,5 20 1,0 15 10 0,5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0 2,5 0 5 10 15 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=25A,VCE=600V 20 25 30 IF [A] 35 40 45 50 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 3,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C ZthJH : Diode 2,5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,137 0,333 0,571 0,689 τi[s]: 0,000561 0,00636 0,0373 0,155 0,0 0 Datasheet 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 0,01 0,001 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter transientthermalimpedanceDiode,Rectifier ZthJH=f(t) 50 10 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 45 ZthJH: Diode 40 35 1 ZthJH [K/W] IF [A] 30 25 20 0,1 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,066 0,199 0,458 0,637 τi[s]: 0,00216 0,0181 0,0786 0,251 5 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 0,01 0,001 1,2 0,01 0,1 t [s] VF [V] AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 45 40 16 35 14 30 12 25 10 20 8 15 6 10 4 5 2 0,0 Datasheet 0,5 1,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 18 IF [A] IC [A] 10 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 50 0 1 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 0 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 11 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(TNTC) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 10 0 Datasheet 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 12 V2.0 2020-02-24 FP25R12W2T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 13 V2.0 2020-02-24 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-02-24 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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