FP30R06KE3BPSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM™2modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  600  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 37  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  60  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  125  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,30  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,65  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,051  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,10 0,10 0,10  µs µs µs tr  0,06 0,065 0,07  µs µs µs td off  0,60 0,65 0,70  µs µs µs tf  0,04 0,045 0,05  µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 56 Ω Tvj = 150°C Eon  1,40 1,70 1,80  mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 56 Ω Tvj = 150°C Eoff  1,00 1,15 1,20  mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  210 150  A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,40 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 1 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 1,20 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  600  V IF  30  A IFRM  60  A I²t  90,0 82,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min.  typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,05 A²s A²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM  22,0 24,0 27,0  A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr  1,15 2,30 2,70  µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec  0,12 0,30 0,36  mJ mJ mJ RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,60 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode  V V V 1,80 K/W K/W 150 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  60  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 370  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1000 685  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF  0,90  V IR  1,00  mA RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,28 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 2 0,85 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  600  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 37  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  60  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  125  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,30  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,65  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,051  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,10 0,10 0,10  µs µs µs tr  0,06 0,065 0,07  µs µs µs td off  0,60 0,65 0,70  µs µs µs tf  0,04 0,045 0,05  µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon  1,40 1,70 1,80  mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff  1,00 1,15 1,20  mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C ISC  210 150  A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,40 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 3 1,20 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  600  V IF  15  A IFRM  30  A I²t  28,0 21,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min.  typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,05 A²s A²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM  20,0 24,0 25,0  A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr  0,75 1,30 1,60  µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec  0,17 0,30 0,40  mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  1,00 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40  150 min. typ. max. R25  5,00  kΩ ∆R/R -5  5 % P25   20,0 mW  V V V 3,00 K/W K/W °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  t.b.d.  K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  t.b.d.  K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL  2,5  kV  Cu     Al2O3   Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 225   min. typ. RthCH  0,02 LsCE  60  nH RCC'+EE' RAA'+CC'  4,00 3,00  mΩ Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj max   175 150 °C °C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj op -40 -40  150 150 °C °C Lagertemperatur Storagetemperature  Tstg -40  125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight  G  180  g preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature 5 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 45 45 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 55 IC [A] IC [A] 55 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=56Ω,RGoff=56Ω,VCE=300V 60 5,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 50 4,0 45 3,5 40 3,0 E [mJ] IC [A] 35 30 25 2,5 2,0 20 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 6 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 5,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 4,0 ZthJC : IGBT 3,5 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 3,0 2,5 2,0 0,1 1,5 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,072 0,396 0,384 0,348 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,5 0,0 0 0,01 0,001 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=56Ω,Tvj=150°C 70 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 60 55 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 45 50 40 35 IF [A] IC [A] 40 30 30 25 20 20 15 10 10 5 0 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=56Ω,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,8 0,8 0,7 0,7 0,6 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 5 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,9 E [mJ] E [mJ] 0,9 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 RG [Ω] DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 10 60 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 150°C 55 50 45 1 40 IF [A] ZthJC [K/W] 35 30 25 0,1 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,108 0,594 0,576 0,522 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 60 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 28 26 24 45 22 40 20 35 18 IF [A] IC [A] 50 30 16 14 25 12 20 10 15 8 6 10 4 5 0 2 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 9 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:2.0 11