TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
SmartPIM1ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC
SmartPIM1modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC
VCES = 650V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• AirConditioning
• MotorDrives
• ServoDrives
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom
• NiedrigesVCEsat
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• LowVCEsat
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• RobusteDuplex-RahmenKonstruktion
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• RuggedDuplexframeconstruction
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
50
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
160
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,48 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,60
1,75
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,90
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,055
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,013
0,013
0,013
µs
µs
µs
tr
0,022
0,025
0,026
µs
µs
µs
td off
0,16
0,19
0,19
µs
µs
µs
tf
0,052
0,061
0,065
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,50
0,75
0,80
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,05
1,35
1,45
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
140
110
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,90
0,95 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
31,0
38,0
40,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,60
2,20
2,60
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,33
0,55
0,65
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,20
1,30 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,00
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
V
V
V
150
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
70
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM
80
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
685
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,90
V
IR
1,00
mA
RthJC
0,65
0,75 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,55
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
50
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
160
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,48 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,60
1,75
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,90
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,055
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,013
0,013
0,013
µs
µs
µs
tr
0,022
0,025
0,026
µs
µs
µs
td off
0,16
0,19
0,19
µs
µs
µs
tf
0,052
0,061
0,065
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,50
0,75
0,80
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,05
1,35
1,45
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
140
110
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,90
0,95 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
4
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
31,0
38,0
40,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,60
2,20
2,60
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,33
0,55
0,65
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,20
1,30 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,00
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
12,7
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
8,5
5,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL
kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
8,00
-
9,00
Nm
G
34
g
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP30R07U1E4
IGBT-Module
IGBT-modules
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
50
50
40
40
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=300V
60
2,40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,20
50
2,00
1,80
40
1,60
E [mJ]
IC [A]
1,40
30
1,20
1,00
20
0,80
0,60
10
0,40
0,20
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0,00
13
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
7
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP30R07U1E4
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
3,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,5
ZthJH : IGBT
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
2,0
1,5
1,0
0,1
0,5
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,07
0,1524 0,6505 0,877
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,01
0,001
160
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
70
IC, Modul
IC, Chip
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
60
50
50
40
IF [A]
IC [A]
40
30
30
20
20
10
10
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP30R07U1E4
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,2
0,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,0
0,6
E [mJ]
E [mJ]
0,8
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
10
20
30
IF [A]
40
50
0,0
60
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
60
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
50
IF [A]
ZthJH [K/W]
40
1
30
20
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,125 0,2886 0,8871 0,8993
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
9
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP30R07U1E4
IGBT-Module
IGBT-modules
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
50
50
45
40
40
IF [A]
IC [A]
35
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
10
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R07U1E4
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:NK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:3.0
12
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