TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
40
55
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
80
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
210
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,80
2,05
2,30
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,33
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
6,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,50
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,09
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
4,10
5,80
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
3,60
4,20
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,60 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
160
A
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1200
V
IF
40
A
IFRM
80
A
I²t
320
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
1,75
2,30
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 40 A, VGE = 0 V
IF = 40 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
45,0
46,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
4,40
8,40
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
1,55
3,10
mJ
mJ
VF
V
V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
0,95 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
50
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM
60
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
315
260
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
500
340
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,20
V
IR
2,00
mA
proDiode/perdiode
RthJC
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 40 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
1,00 K/W
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
15
25
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
105
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
1,90
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,15
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,10
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,04
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
1,50
2,10
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
1,10
1,30
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
1,20 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
60
A
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
20,0
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,85
2,25
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
14,0
15,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
1,00
1,80
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,26
0,56
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
2,30 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
VF
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
t.b.d.
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
t.b.d.
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
2,5
kV
Cu
AI203
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
min.
typ.
RthCH
0,02
LsCE
60
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
3,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
180
g
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
5
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
80
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
70
60
60
50
50
IC [A]
IC [A]
70
40
30
20
20
10
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
70
50
10
E [mJ]
12
40
8
30
6
20
4
10
2
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
14
60
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=27Ω,RGoff=27Ω,VCE=600V
80
IC [A]
40
30
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
6
0
10
20
30
40
IC [A]
50
60
70
80
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
10
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
9
ZthJC : IGBT
8
7
ZthJC [K/W]
E [mJ]
6
5
4
0,1
3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,06769 0,2709 0,1523 0,1052
τi[s]:
0,002345 0,0282 0,1128 0,282
1
0
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
0,01
0,001
60
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=27Ω,Tvj=125°C
90
IC, Modul
IC, Chip
80
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
70
70
60
60
50
IF [A]
IC [A]
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
7
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=27Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=40A,VCE=600V
5,0
5,0
Erec, Tvj = 125°C
4,5
4,5
4,0
4,0
3,5
3,5
3,0
3,0
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
2,5
2,5
2,0
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
10
20
30
40
IF [A]
50
60
70
0,0
80
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
1
80
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
70
60
IF [A]
ZthJC [K/W]
50
0,1
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,09674 0,6249 0,18
0,05701
τi[s]:
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8 1,0
VF [V]
1,2
1,4
1,6
1,8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
30
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
25
25
20
20
IF [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
9
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP40R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP40R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RS
revision:2.0
11
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