FP50R12W2T7_B11
EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC
EasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 50A / ICRM = 100A
PotentielleAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
PotentialApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigesVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Überlastbetriebbiszu175°C
ElectricalFeatures
• LowVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Overloadoperationupto175°C
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1mininsulation
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Highpowerdensity
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 75°C, Tvj max = 175°C
ICDC
50
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,28 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
0,92
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
11,1
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,039
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGEth
Tvj = 25°C
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 1700 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 2900 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,1 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
Datasheet
5,80
V
6,45
0,008 mA
100
nA
0,051
0,054
0,055
µs
µs
µs
0,027
0,028
0,029
µs
µs
µs
0,265
0,335
0,382
µs
µs
µs
0,111
0,185
0,277
µs
µs
µs
Eon
3,24
4,49
5,21
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
3,84
5,54
6,63
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
ISC
190
180
A
A
RthJH
0,910
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
2
5,15
V
V
V
IGES
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VCE sat
1,50 t.b.d.
1,64
1,72
-40
175
°C
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
50
A
IFRM
100
A
I²t
300
250
min.
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
A²s
A²s
max.
VF
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
IRM
48,2
65,5
77,8
A
A
A
IF = 50 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Qr
4,36
7,52
9,82
µC
µC
µC
IF = 50 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
1,57
2,95
3,95
mJ
mJ
mJ
RthJH
1,20
K/W
proDiode/perdiode
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
175
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
50
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 100°C
IRMSM
50
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1010
685
A²s
A²s
Tvj = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 50 A
VF
1,09
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
0,18
mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
1,24
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
Tvj op
3
-40
150
°C
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 80°C, Tvj max = 175°C
ICDC
35
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
70
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 35 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,75 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
0,548
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
6,62
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,023
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGEth
Tvj = 25°C
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 590 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,6 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
Datasheet
5,80
V
6,45
0,005 mA
100
nA
0,043
0,046
0,048
µs
µs
µs
0,036
0,038
0,039
µs
µs
µs
0,24
0,31
0,34
µs
µs
µs
0,12
0,21
0,27
µs
µs
µs
Eon
2,84
3,38
3,61
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
2,31
3,84
4,28
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
ISC
110
100
A
A
RthJH
1,09
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
4
5,15
V
V
V
IGES
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VCE sat
1,60 t.b.d.
1,74
1,82
-40
175
°C
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
25
A
IFRM
50
A
I²t
72,5
63,0
min.
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 570 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
A²s
A²s
max.
VF
1,83 t.b.d.
1,70
1,63
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
IRM
22,2
29,2
33,9
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 570 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Qr
1,63
3,44
4,59
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 570 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
0,38
1,25
1,88
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
2,02
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
175
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
CTI
> 200
RTI
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
°C
140
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
kV
2,5
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
39
125
°C
80
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet
6
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=175°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
90
80
80
70
70
60
60
IC [A]
IC [A]
90
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=600V
100
16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
90
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 175°C
14
80
12
70
10
E [mJ]
IC [A]
60
50
8
40
6
30
4
20
2
10
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
7
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
80
90
100
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tr=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=600V,Tvj=175°C
35
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 175°C
30
tdon
tr
tdoff
tf
1
25
t [µs]
E [mJ]
20
0,1
15
10
0,01
5
0
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tr=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=175°C
0,001
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
80
90
100
50
55
dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch)
dv/dtIGBT,Inverter(typical)
dv/dt=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=25°C
10
9
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10 × IC
dv/dt-off at IC
8
7
6
t [µs]
dv/dt [V/ns]
1
5
4
0,1
3
2
1
0,01
0
Datasheet
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
0
55
8
0
5
10
15
20
25 30 35
RG [Ohm]
40
45
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=175°C
120
10
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
110
100
90
1
80
IC [A]
ZthJH [K/W]
70
60
50
0,1
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,041 0,187 0,649 0,033
τi[s]:
0,0011 0,0224 0,0333 3,44
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
1400
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=50A,Tvj=25°C
100
15
Cies
Coes
Cres
VCC = 600 V
10
10
VGE [V]
C [nF]
5
1
0
-5
0,1
-10
0,01
0
Datasheet
10
20
30
40
50 60
VCE [V]
70
80
90
100
-15
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
QG [µC]
9
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=600V
100
6,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
90
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
5,0
80
70
4,0
E [mJ]
IF [A]
60
50
3,0
40
2,0
30
20
1,0
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
2,5
0
10
20
30
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=50A,VCE=600V
40
50 60
IF [A]
70
80
90
100
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
5,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJH : Diode
4,0
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
3,0
2,0
0,1
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,058 0,137 0,445 0,56
τi[s]:
0,0013 0,0119 0,0687 0,2
0,0
0
Datasheet
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
0,01
0,001
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter
transientthermalimpedanceDiode,Rectifier
ZthJH=f(t)
100
10
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
90
ZthJH: Diode
80
70
1
ZthJH [K/W]
IF [A]
60
50
40
0,1
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,057 0,185 0,416 0,582
τi[s]:
0,0007 0,0093 0,0488 0,182
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
0,01
0,001
1,6
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
70
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
45
60
55
40
50
35
45
30
IF [A]
IC [A]
40
35
30
25
20
25
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
Datasheet
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
0
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
11
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(TNTC)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
10
0
Datasheet
25
50
75
100
TNTC [°C]
125
150
175
12
V2.0
2020-03-13
FP50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
13
V2.0
2020-03-13
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2020-03-13
Publishedby
InfineonTechnologiesAG
81726München,Germany
©2020InfineonTechnologiesAG.
AllRightsReserved.
Doyouhaveaquestionaboutthisdocument?
Email:erratum@infineon.com
WICHTIGERHINWEIS
DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben,
diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen,
einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist.
DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem
DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon
ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden.
DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder
EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen
ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden.
SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen
benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem
ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung.
SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten
Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen
vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu
Personenverletzungenführen.
IMPORTANTNOTICE
Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe
applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout
limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty.
Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany
applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies
incustomer’sapplications.
Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical
departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin
thisdocumentwithrespecttosuchapplication.
Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon
Technologiesoffice(www.infineon.com).
WARNINGS
Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour
nearestInfineonTechnologiesoffice.
ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon
Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof
theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.