FP75R12KE3BOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 75 105  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  150  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  355  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,20 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,70  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  10  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  5,30  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,20  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,26 0,29  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,03 0,05  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,42 0,52  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,07 0,09  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  6,55 9,40  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  6,80 9,40  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 300  A °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  75  A IFRM  150  A I²t  1200  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,20 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM  80,0 86,0  A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr  9,30 16,5  µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec  3,20 6,50  mJ mJ VF V V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC   0,58 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  115  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM  80  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  500 400  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1250 800  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF  1,15  V Tvj = 150°C VTO  0,80  V Ersatzwiderstand Sloperesistance Tvj = 150°C rT  6,00  mΩ Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR  3,00  mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC   TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op   preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 75 A Schleusenspannung Thresholdvoltage 2 0,65 K/W  °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 40 55  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  210  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues  min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C  V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,80 2,15 2,30 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,33  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  6,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  2,50  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,09  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,09 0,09  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,03 0,05  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,42 0,52  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,07 0,09  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  6,00  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  4,20  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 3 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 160  A °C TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  25  A IFRM  50  A I²t  170  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,20 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM  26,0 24,0  A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr  2,80 5,00  µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 25 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec  0,90 1,80  mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC   1,20 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 min. typ. max. R25  5,00  kΩ ∆R/R -5  5 % P25   20,0 mW VF V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  t.b.d.  K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  t.b.d.  K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL  2,5  kV  Cu     Al203   Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 225   min. typ. RthCH  0,009 LsCE  60  nH RCC'+EE' RAA'+CC'  7,00 4,00  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight  G  300  g preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 5 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 150 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 120 120 105 105 90 90 75 75 60 60 45 45 30 30 15 15 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9 V 135 IC [A] IC [A] 135 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V 150 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 135 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 25 120 105 20 E [mJ] IC [A] 90 75 15 60 10 45 30 5 15 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 6 0 20 40 60 80 IC [A] 100 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 25 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 20 E [mJ] ZthJC [K/W] 15 10 0,1 5 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,03949 0,158 0,08884 0,06139 τi[s]: 0,002345 0,0282 0,1128 0,282 0 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 0,01 0,001 50 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C 160 IC, Modul IC, Chip 140 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 135 120 120 105 90 IF [A] IC [A] 100 80 75 60 60 45 40 30 20 0 15 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 7 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=4.7Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=75A,VCE=600V 10 10 Erec, Tvj = 125°C 9 9 8 8 7 7 6 6 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 5 5 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 20 40 60 80 IF [A] 100 120 140 0 160 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 1 150 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 150°C 135 120 105 IF [A] ZthJC [K/W] 90 0,1 75 60 45 30 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,05906314 0,3815072 0,1098891 0,03480464 τi[s]: 0,0033328 0,0342858 0,1294332 0,7662325 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 15 0 10 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 1,6 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP75R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 80 80 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 70 60 60 50 50 IF [A] IC [A] 70 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP75R12KE3 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fineon preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP75R12KE3 Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 11