FR900R12IP4DBPSA1

FR900R12IP4D 6 5 4 3 2 1 D D PrimePACK™3+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode 11, 13 5 4 C C 9 10 3 6 8 1 2 7 12, 14 VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A B A PotentielleAnwendungen • Chopper-Anwendungen • GeschalteterReluktanzantrieb • Hybrid-Nutzfahrzeuge • Motorantriebe B PotentialApplications • Chopperapplications Kanten: Zul. Abweichung: Oberfl che: Ma stab: Mat.-Nr.: • Switchedreluctancedrive ISO 13715 ISO 2768 - mK EN ISO 1302 Werkstoff: Dokumentstatus: In Bearbeitung • CommercialAgricultureVehicles Benennung: Ma bild • Motordrives Datum Bearb. 08.05.2015 Gepr. Norm Name EU\britwin A Schaltplan f r das Datenblatt Revision: Blatt-Nr.: ElektrischeEigenschaften 6 5 4 • HoheKurzschlussrobustheit • HoheStromdichte • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HohemechanischeRobustheit • HoheVibrationsfestigkeit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • RoHSkonform Revision D00066262 00 ElectricalFeatures Modell: Ersatz f r: Ersetzt durch: 3 2 1 • Highshort-circuitcapability • Highcurrentdensity • LowVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient • Enlargeddiodeforregenerativeoperation nderungen Datum 1 A3 Name DE 2.0 Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG , auch f r den Fall von Schutzrechtanmeldungen. MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highmechanicalrobustness • Highvibrationresistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC  900  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,70 2,00 2,10 2,05 2,40 V V V 5,80 6,50 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 900 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 6,40 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,2 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 54,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,80 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 900 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH di/dt = 7800 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 900 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,2 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,23 0,26 0,27 µs µs µs 0,10 0,11 0,11 µs µs µs 0,60 0,70 0,73 µs µs µs 0,14 0,16 0,17 µs µs µs Eon 53,0 83,0 93,0 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 140 185 200 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 3600 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,00 2 29,6 K/kW 13,9 -40 K/kW 150 °C V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1200  V IF  900  A IFRM  1800  A I²t  91,0 88,0  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,65 1,55 1,50 2,15 2,00 IF = 900 A, - diF/dt = 7800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 560 750 800 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 900 A, - diF/dt = 7800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 89,0 180 210 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 900 A, - diF/dt = 7800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 43,0 87,0 100 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 900 A, VGE = 0 V IF = 900 A, VGE = 0 V IF = 900 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 44,2 K/kW 12,4 -40 K/kW 150 °C Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  150  A IFRM  300  A I²t  0,17  kA²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF max. 1,65 1,65 2,15 RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet typ. 3 V V 225 K/kW 120 -40 K/kW 150 °C V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  33,0 33,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,0 19,0  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 10 nH RCC'+EE' 0,23 mΩ Tstg -40 150 °C 3,00 6,00 Nm SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Datasheet G 4 max. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1400 g V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1800 1800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1600 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 1600 1200 1200 1000 1000 IC [A] 1400 IC [A] 1400 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.2Ω,VCE=600V 1800 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1600 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 350 1400 300 1200 250 IC [A] E [mJ] 1000 800 200 150 600 100 400 50 200 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 IC [A] V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=900A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 600 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 550 ZthJC : IGBT 500 450 400 ZthJC[K/kW] E [mJ] 350 300 250 10 200 150 100 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,49 2,68 20,7 4,76 τi[s]: 0,0000652 0,000951 0,0403 0,311 50 0 0,0 2,0 4,0 6,0 RG [Ω] 8,0 10,0 1 0,001 12,0 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.2Ω,Tvj=150°C 2000 1600 1440 1400 1260 1200 1080 IF [A] IC [A] 1620 720 600 540 400 360 200 180 Datasheet 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 900 800 0 1 1800 1800 0 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip 1000 0,01 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 6 V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.2Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=900A,VCE=600V 140 140 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 120 120 110 110 100 100 90 90 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0 200 400 600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 130 E [mJ] E [mJ] 130 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0,0 2,0 4,0 6,0 RG [Ω] 8,0 10,0 12,0 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100 100000 ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/kW] 10000 10 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,03 4,97 26,8 7,41 τi[s]: 0,000162 0,00199 0,0397 0,305 1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 7 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 V3.0 2019-07-12 FR900R12IP4D D Schaltplan/Circuitdiagram 11, 13 5 4 C 9 10 3 8 6 1 2 7 12, 14 7 6 5 Gehäuseabmessungen/Packageoutlines B 8 36 0,2 4 (2x) 8 (8x) 0,1 18 3 0,2 2 1 (4x) F 250 1 A 224 E Kanten: Zul. Abweichung: Ober ISO 13715 ISO 2768 - mK EN I Datum Bearb. 08.05.2015 Gepr. Norm N EU\b 187 recommended design height lower side bus bar to baseplate 150 113 76 38,25 screwing depth max. 8mm (8x) 0,25 58 max. 3 6 0,8 A B C 5,5 - 0,2 (14x) 0,5 A B C 8x 5 14x 4 Revision nderungen Datum 0,5 0,3 0,25 11,8 26 0,3 max. 2 B Modell: Alle Rechte bei INFINE 89 23,6 screwing depth max. 16mm (8x) M4 (8x) 0,3 22,1 (2x) 0,3 (2x) 39 ( 5,5) 25,1 20,6 0,3 3,8 (8x) 37 (8x) C Name 3 73 D M8 (8x) 24 6 7,5 + 0,5 10 (6x) A ( 5,5) 0,8 A B C 14 C 8x 25 recommended design height lower side PCB to baseplate 39 64 78 92 103 B 117 156 195 234 Kanten: Zul. Abweichung: Oberfl che: Ma stab: 1 : 1 ISO 13715 ISO 2768 - mK Datum Bearb. 16.03.2015 Gepr. 17.06.2015 Norm A Mat.-Nr.: 36002 ba EN ISO 1302 Werkstoff: Name EU\froebusd EU\noellem Dokumentstatus: Benennung: Serienfreigabe Modul Datenblattskizze PP3+ Revision: Blat 02 Korrektur 01 Korrektur Revision 8 7 6 5 4 nderungen 3 21.10.2015 R M 26.08.2015 R M Datum Name D00062172 Modell: A00062169 02 Ersatz f r: D00046423_00 Ersetzt durch: 2 1 Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG , auch f r den Fall von Schutzrechtanmeld Datasheet 8 V3.0 2019-07-12 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-07-12 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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