FS35R12KE3G

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C VCES IC, nom IC ICRM 1200 35 55 70 V A A A Tc= 25°C Ptot 200 W VGES +20 V IF 35 A IFRM 70 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 300 A²s RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1,5mA VCEsat min. 5,0 typ. 1,7 2,0 5,8 max. 2,15 6,5 V V V VGE(th) VGE= -15V...+15V QG - 0,33 - µC f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 2,5 nF f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres 0,09 nF VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA prepared by: M. Münzer approved: M. Hierholzer date of publication: 2002-03-04 revision: 3 1 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt Eon tf 65 90 3,5 ns ns mJ td,off 420 520 ns ns tr 30 45 ns ns td,on 85 90 ns ns min. typ. max. Eoff - 4,8 - mJ ISC - 140 - A LσCE - 19 - nH mΩ RCC´/EE´ - 2,5 - Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Sperrverzögerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Erec 1,4 2,7 mJ mJ Qr 3,7 6,8 µC µC IRM 49 51 A A VF 1,65 1,65 2,15 V V 2 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25°C Tc= 100°C, R100= 493Ω R25 ∆R/R min. typ. 5 max. kΩ -5 - 5 % Tc= 25°C P25 - - 20 mW R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK 0,02 0,60 0,95 K/W K/W K/W Tvjmax - - 150 °C -40 - Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearence CTI comperative tracking index Schraube M 5 screw M 5 Gewicht weight M 3 Al2O3 10 mm 7,5 mm 225 - 6 G 180 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. 3 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G IC= f(VCE) VGE= 15V Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IC [A] 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,5 IC= f(VCE) Tvj= 125°C VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V IC [A] 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G IC= f(VGE) VCE= 20V Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 4 5 Tvj=25°C Tvj=125°C IC [A] 6 7 8 VGE [V] 9 10 11 12 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,2 0,4 IF= f(VF) Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF [A] 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 5 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC) VGE= 15V, RGon=RGoff= 27Ω, VCE= 600V, Tvj= 125°C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 10 8 Eon Eoff Erec E [mJ] 6 4 2 0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 70 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 10 Eon Eoff Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE= 15V, IC= 35A, VCE= 600V, Tvj= 125°C 8 E [mJ] 6 4 2 0 0 20 40 RG [Ω] 60 80 100 6 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G ZthJC = f (t) Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC [K/W] 0,1 Zth : IGBT Zth : Diode 0,01 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 i ri [K/W] : IGBT τi [s] : IGBT ri [K/W] : Diode τi [s] : Diode 1 6,769E-02 2,345E-03 9,674E-02 3,333E-03 2 1,052E-01 2,820E-01 6,249E-01 3,429E-02 3 2,709E-01 2,820E-02 1,800E-01 1,294E-01 4 1,523E-01 1,128E-01 5,701E-02 7,662E-01 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 80 70 60 50 IC [A] 40 30 20 10 0 0 200 400 600 VCE [V] 800 IC,Chip IC,Modul VGE=15V, RG=27Ω, Tj=125°C 1000 1200 1400 7 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04