FS3L25R12W2H3_B11
EasyPACK™ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/
NTC
EasyPACK™modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 25A / ICRM = 50A
PotentielleAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
PotentialApplications
• 3-level-applications
• Solarapplications
ElektrischeEigenschaften
• HighSpeedIGBTH3
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• HighspeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 60°C, Tvj max = 175°C
ICDC
25
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
50
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
5,80
6,35
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V
QG
0,13
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,43
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,075
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGEth
Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 350 V, Lσ = 30 nH
di/dt = 1050 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 350 V, Lσ = 30 nH
du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 20 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
5,25
0,055
0,055
0,055
µs
µs
µs
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
0,185
0,23
0,24
µs
µs
µs
0,025
0,05
0,055
µs
µs
µs
Eon
0,67
1,00
1,05
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
0,60
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC
80
A
1,45
K/W
td on
tr
td off
tf
RthJH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
Tvj op
2
-40
150
°C
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
15
A
IFRM
50
A
I²t
40,0
34,0
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,75
1,75
1,75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
36,0
38,0
38,0
A
A
A
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,05
2,10
2,40
µC
µC
µC
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,40
0,66
0,70
mJ
mJ
mJ
RthJH
2,35
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
proDiode/perdiode
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
1200
Tvj op
3
-40
150
V
V
V
°C
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
30
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
ICDC
15
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,20
1,25
1,28
1,45
V
V
V
5,80
6,45
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 15 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGEth
Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, Lσ = 40 nH
di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, Lσ = 40 nH
du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 15 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,013
µs
µs
µs
0,34
0,38
0,39
µs
µs
µs
0,045
0,07
0,075
µs
µs
µs
Eon
0,19
0,26
0,28
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
0,47
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
210
150
A
A
RthJH
1,75
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
4
4,95
-40
150
°C
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
40,0
50,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,65
1,60
1,55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
13,0
15,0
16,0
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,85
1,45
1,60
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,15
0,26
0,30
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
3,30
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
Datasheet
6
kV
2,5
typ.
max.
25
39
nH
125
°C
80
N
g
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
40
40
35
35
30
30
IC [A]
IC [A]
45
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=350V
50
4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
40
3,0
35
2,5
E [mJ]
IC [A]
30
25
20
2,0
1,5
15
1,0
10
0,5
5
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0,0
7
0
5
10
15
20
25 30
IC [A]
35
40
45
50
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=350V
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJH=f(t)
8,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
7,0
ZthJH : IGBT
6,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5,0
4,0
1
3,0
2,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1,0
0,0
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=20Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
60
30
IC, Modul
IC, Chip
55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
50
24
45
21
40
18
IF [A]
IC [A]
35
30
15
25
12
20
9
15
6
10
3
5
0
0
Datasheet
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
8
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=350V
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=350V
1,0
1,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,9
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
E [mJ]
E [mJ]
0,9
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
15
IF [A]
20
25
0,0
30
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
30,0
ZthJH: Diode
27,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25,0
22,5
17,5
IC [A]
ZthJH [K/W]
20,0
1
15,0
12,5
10,0
7,5
5,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,312 0,512 0,904 0,622
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
2,5
10
0,0
0,00
9
0,25
0,50
0,75
1,00 1,25
VCE [V]
1,50
1,75
2,00
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
30
30
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
25
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25
20
IC [A]
IC [A]
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=350V
5
6
7
8
VGE [V]
9
10
11
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V
1,2
2,00
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,75
1,0
1,50
0,8
E [mJ]
E [mJ]
1,25
0,6
1,00
0,75
0,4
0,50
0,2
0,25
0,0
0
Datasheet
5
10
15
IC [A]
20
25
30
0,00
10
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
10
40
ZthJH: IGBT
IC, Modul
IC, Chip
35
30
IC [A]
ZthJH [K/W]
25
1
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=350V
50
0,40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,35
40
0,30
35
0,25
E [mJ]
IF [A]
30
25
20
0,20
0,15
15
0,10
10
0,05
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,00
VF [V]
Datasheet
11
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
50
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=350V
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
0,35
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH: Diode
0,30
0,25
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,20
0,15
1
0,10
0,05
0,00
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3
0,7
1,39 0,91
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(TNTC)
100000
Rtyp
R [Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
25
50
75
TNTC [°C]
100
125
150
12
V2.1
2020-08-20
FS3L25R12W2H3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
13
V2.1
2020-08-20
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2020-08-20
Publishedby
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