FS3L30R07W2H3FB11BPSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/ NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC J VCES = 650V IC nom = 30A / ICRM = 60A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • 3-Level-Applications • MotorDrives • SolarApplications • UPSSystems ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • thinQHSiCSchottkyDiode650V ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • thinQHSiCSchottkydiode650V MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 45  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  60  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  135  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,50 1,70 1,80 1,90 V V V 5,8 6,5 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 33 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 33 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,042 0,044 0,044 µs µs µs 0,038 0,044 0,044 µs µs µs 0,26 0,28 0,285 µs µs µs 0,042 0,06 0,065 µs µs µs Eon 0,88 1,10 1,15 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 33 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,67 0,84 0,91 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 160 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 1,05 1,10 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,10 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 2 -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  650  V IF  30  A IFRM  60  A I²t  90,0 82,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min.  A²s A²s typ. max. 2,00 VF 1,60 1,55 1,50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 15,5 20,5 22,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,10 1,90 2,20 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,18 0,34 0,41 mJ mJ mJ RthJC 1,25 1,35 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 50  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  60  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  135  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,55 1,80 1,85 1,95 V V V 5,8 6,5 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 830 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 20 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,03 0,03 0,031 µs µs µs 0,035 0,036 0,05 µs µs µs 0,175 0,19 0,20 µs µs µs 0,019 0,038 0,043 µs µs µs Eon 0,38 0,40 0,41 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,42 0,64 0,71 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 160 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 1,05 1,10 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,10 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 4 -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 650  V IF  8  A IFRM  16  A I²t  8,00  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,50 1,65 1,70 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 8 A, VGE = 0 V IF = 8 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 6,30 6,80 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,22 0,37 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 8 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,01 0,01 mJ mJ RthJC 2,30 2,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 2,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode VF -40 125 V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 5 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL  CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 6  kV 2,5 typ. max. 45 39 nH 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VCE [V] 2,0 2,4 0 2,8 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 3,0 4,0 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=33Ω,RGoff=33Ω,VCE=300V 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 8 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 7 ZthJH : IGBT 6 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,1 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 40 80 120 160 200 RG [Ω] 240 280 320 0,01 0,001 360 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=33,VCE=300V 60 0,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 50 0,4 40 E [mJ] IF [A] 0,3 30 0,2 20 0,1 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 0,0 2,0 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 8 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0,5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 0,4 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,3 0,2 1 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1999 0,4286 0,8282 1,1437 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 40 80 120 160 200 RG [Ω] 240 280 0,1 0,001 320 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 10 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 40 40 IC [A] IC [A] 0,1 t [s] AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 30 20 10 10 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 30 20 0 0,01 0,0 1,0 2,0 3,0 VCE [V] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 9 4,0 5,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT-Modul IGBT-Module ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=300V 60 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 50 1,0 E [mJ] IC [A] 40 30 20 0,5 10 0 5 6 7 8 9 10 0,0 11 0 10 20 VGE [V] SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V 30 IC [A] 40 50 60 TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJC=f(t) 6 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5 ZthJC : IGBT 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 4 3 0,1 2 0,01 1 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0423 0,2043 0,4249 1,4785 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 0,001 0,001 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L30R07W2H3F_B11 IGBT-Modul IGBT-Module DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=20Ω,VCE=300V 16 0,015 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 14 Erec, Tvj = 125°C 12 0,010 E [mJ] IF [A] 10 8 6 0,005 4 2 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=8A,VCE=300V 0,000 2,4 0 2 4 6 8 IF [A] 10 12 14 16 TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,015 10 Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode E [mJ] ZthJH [K/W] 0,010 1 0,005 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,796 1,328 1,813 0,863 τi[s]: 0,003 0,015 0,09 0,4 0,000 0 20 40 60 0,1 0,001 80 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 11 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 12 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L30R07W2H3F_B11 Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CE dateofpublication:2014-07-22 approvedby:MB revision:3.1 14