FS3L40R07W2H5FB11BOMA1

FS3L40R07W2H5F_B11 EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/NTC VCES = 650V IC nom = 40A / ICRM = 80A PotentielleAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • 3-level-applications • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiCTMSchottkydiodegen5 • Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  650  V ICN  40  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  20  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,40 1,46 1,50 1,81 V V V 4,00 4,75 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH di/dt = 1000 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH du/dt = 5600 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 7,5 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 3,25 0,018 mA 100 µs µs µs 0,008 0,008 0,008 µs µs µs 0,09 0,11 0,11 µs µs µs 0,014 0,022 0,024 µs µs µs Eon 0,32 0,44 0,47 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 0,10 0,15 0,16 mJ mJ mJ tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C ISC 180 A 2,12 K/W tr td off tf Tvj op 2 nA 0,019 0,02 0,02 td on RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat -40 150 °C V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  650  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  25  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  20  A IFRM  50  A I²t  50,0 40,0 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,15 VF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 12,0 19,0 21,0 A A A IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,25 1,76 1,99 µC µC µC IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,28 0,38 0,42 mJ mJ mJ RthJH 2,78 K/W IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet A²s A²s 1,65 1,55 1,50 Durchlassspannung Forwardvoltage Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  Tvj op 3 -40 150 V V V °C V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  650  V ICN  40  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  20  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,40 1,46 1,50 1,81 V V V 4,00 4,75 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH du/dt = 5500 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 3,25 0,018 mA 100 µs µs µs 0,004 0,004 0,004 µs µs µs 0,09 0,11 0,11 µs µs µs 0,014 0,022 0,024 µs µs µs Eon 0,13 0,16 0,17 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 0,10 0,15 0,16 mJ mJ mJ tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C ISC 180 A 2,12 K/W tr td off tf Tvj op 4 nA 0,012 0,014 0,014 td on RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat -40 150 °C V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  650  V IF  20  A IFRM  40  A I²t  65,0 60,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,85 VF 1,45 1,60 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 26,0 23,0 22,0 A A A IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,29 0,29 0,29 µC µC µC IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,08 0,08 0,08 mJ mJ mJ RthJH 2,60 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = 15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 2,5  °C 140 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ. max. 45 39 nH 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin Datasheet 6 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 40 40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 30 30 25 25 IC [A] IC [A] 35 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 1,0 VCE [V] 1,5 0 2,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VCE=300V 40 1,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 0,8 30 0,6 E [mJ] IC [A] 25 20 0,4 15 10 0,2 5 0 4 Datasheet 5 6 VGE [V] 7 8 0,0 7 0 10 20 IC [A] 30 40 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=7.5Ω,RGoff=7.5Ω,VCE=300V,Tvj=150°C 1,50 1 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C tdon tr tdoff tf 0,1 t [µs] E [mJ] 1,00 0,50 0,00 0,01 0 20 40 RG [Ω] 60 80 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C 0,001 0 10 20 IC [A] 30 40 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 1 10 tdon tr tdoff tf ZthJH : IGBT 1 t [µs] ZthJH [K/W] 0,1 0,01 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,144 0,488 1,15 0,338 τi[s]: 0,0017 0,0198 0,139 1,12 0,001 0 Datasheet 20 40 RG [Ω] 60 80 0,01 0,001 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=7.5Ω,Tvj=150°C 100 KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz 100 IC, Modul IC, Chip Cies Coes Cres 10 60 1 IC [A] C [nF] 80 40 0,1 20 0,01 0 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=20A,Tvj=25°C 0,001 0 5 10 15 VCE [V] 20 25 30 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 15 40 VCC = 300V 12 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 9 30 6 25 IF [A] VGE [V] 3 0 20 -3 15 -6 10 -9 5 -12 -15 0 Datasheet 25 50 75 100 QG [nC] 125 150 0 175 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 9 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=7,5Ω,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=20A,VCE=300V 0,6 0,5 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,4 0,4 E [mJ] E [mJ] 0,3 0,2 0,2 0,1 0,0 0 10 20 IF [A] 30 0,0 40 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 40 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IC [A] ZthJH [K/W] 30 1 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,155 0,438 1,28 0,907 τi[s]: 0,00104 0,0077 0,0517 0,166 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 10 0,0 0,5 1,0 VCE [V] 1,5 2,0 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 40 40 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 30 30 IC [A] IC [A] 25 20 20 15 10 10 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 4 5 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=300V 6 VGE [V] 7 8 SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V 0,5 0,5 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 0,3 0,3 E [mJ] 0,4 E [mJ] 0,4 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 Datasheet 10 20 IC [A] 30 40 0,0 11 0 10 20 RG [Ω] 30 40 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesIGBT,3-Level(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=3.9Ω,RGoff=3.9Ω,VCE=300V,Tvj=150°C SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesIGBT,3-Level(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C 1 1 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf 0,1 t [µs] t [µs] 0,1 0,01 0,01 0,001 0,0001 0 10 20 IC [A] 30 40 TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJH=f(t) 0,001 0 10 20 RG [Ω] 30 40 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.9Ω,Tvj=150°C 10 100 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 80 1 IC [A] ZthJH [K/W] 60 0,1 40 0,01 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,144 0,488 1,15 0,338 τi[s]: 0,0017 0,0198 0,139 1,12 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 0 100 200 300 400 500 600 700 t [s] 12 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 KapazitätsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch) capacitycharacteristicIGBT,3-Level(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz GateladungsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,3-Level(typical) VGE=f(QG) IC=20A,Tvj=25°C 100 15 Cies Coes Cres Vcc = 300V 12 10 9 6 3 C [nF] VGE [V] 1 0 0,1 -3 -6 0,01 -9 -12 0,001 0 5 10 15 VCE [V] 20 25 -15 30 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) 0 25 50 75 100 QG [nC] 125 150 175 SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=3,9Ω,VCE=300V 40 0,100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,080 30 E [mJ] IF [A] 0,060 20 0,040 10 0,020 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0,000 VF [V] Datasheet 13 0 10 20 IF [A] 30 40 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=20A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,10 10 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode 0,08 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,06 1 0,04 0,02 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,211 0,471 0,658 1,26 τi[s]: 0,000993 0,00561 0,0281 0,109 0,00 0 10 20 RG [Ω] 30 40 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 14 V3.0 2019-02-05 FS3L40R07W2H5F_B11 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 15 V3.0 2019-02-05 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-02-05 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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