FS50R12W1T7B11BOMA1

FS50R12W1T7_B11 EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A PotentielleAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme PotentialApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives • Servodrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Überlastbetriebbiszu175°C ElectricalFeatures • LowVCEsat • TrenchstopTMIGBT7 • Overloadoperationupto175°C MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Highpowerdensity • Compactdesign • PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  50  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 50 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,28 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,92 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 11,1 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,039 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 4,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 4,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 850 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 4,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 4,3 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat V V V 5,80 V 6,45 0,0079 mA 100 nA 0,045 0,047 0,048 µs µs µs 0,041 0,044 0,048 µs µs µs 0,27 0,33 0,35 µs µs µs 0,11 0,20 0,26 µs µs µs Eon 4,44 6,05 7,11 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 3,35 5,20 6,45 mJ mJ mJ tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C ISC 190 180 A A RthJH 1,05 K/W td on tr td off tf Tvj op 2 5,15 1,50 t.b.d. 1,64 1,72 -40 175 °C V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C  50  A IFRM  100  A I²t  300 250  min. IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 850 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ. A²s A²s max. VF 1,72 t.b.d. 1,59 1,52 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C IRM 29,4 38,6 41,8 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 850 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Qr 3,38 6,53 8,84 µC µC µC IF = 50 A, - diF/dt = 850 A/µs (Tvj=175°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec 1,36 2,59 3,47 mJ mJ mJ RthJH 1,60 K/W proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 2,5  °C 140 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ. max. 30 24 nH 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen. Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14. Datasheet 4 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 100 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 75 IC [A] IC [A] 75 50 50 25 0 25 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.3Ω,RGoff=4.3Ω,VCE=600V 100 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 28 26 24 75 22 20 16 E [mJ] IC [A] 18 50 14 12 10 8 25 6 4 2 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.3Ω,RGoff=4.3Ω,VCE=600V,Tvj=175°C 24 10 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 22 tdon tr tdoff tf 20 18 1 16 t [µs] E [mJ] 14 12 0,1 10 8 6 0,01 4 2 0 0 10 20 30 40 50 0,001 0 10 20 30 40 RG [Ω] SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=175°C 50 60 IC [A] 70 80 90 100 dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch) dv/dtIGBT,Inverter(typical) dv/dt=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=25°C 10 12 tdon tr tdoff tf dv/dt-on at 1/10 × IC dv/dt-off at IC 11 10 9 1 8 t [µs] dv/dt [V/ns] 7 6 5 0,1 4 3 2 1 0,01 0 10 20 30 40 0 50 RG [Ω] Datasheet 0 10 20 30 40 50 RG [Ω] 6 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.3Ω,Tvj=175°C 120 10 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 100 80 IC [A] ZthJH [K/W] 1 60 0,1 40 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,03 0,098 0,28 0,642 τi[s]: 0,000607 0,01 0,0654 0,206 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz 0 200 1000 1200 1400 15 Cies Coes Cres VCE = 600 V 100 10 10 5 VGE [V] C [nF] 600 800 VCE [V] GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=50A,Tvj=25°C 1000 1 0 0,1 -5 0,01 -10 0,001 400 0 Datasheet 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 -15 7 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 QG [µC] 0,7 0,8 0,9 1,0 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=4.3Ω,VCE=600V 100 4,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 3,5 75 3,0 E [mJ] IF [A] 2,5 50 2,0 1,5 25 1,0 0,5 0 0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 0,0 2,50 0 10 20 30 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=600V 40 50 60 IF [A] 70 80 90 100 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 4,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C ZthJH : Diode 3,5 3,0 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,5 2,0 1,5 0,1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,073 0,24 0,797 0,49 τi[s]: 0,00069 0,0122 0,0808 0,251 0,5 0,0 0 10 20 30 40 50 0,01 0,001 RG [Ω] Datasheet 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(TNTC) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 10 0 Datasheet 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 9 V2.0 2019-10-31 FS50R12W1T7_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V2.0 2019-10-31 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-10-31 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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