FZ1200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 1200 1700 2400 V A A A 5,6 kW +/- 20 V 1200 A 2400 A I²t 300 k A²s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VGE= -15V...+15V; VCE=...V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,15 t.b.d. 6,5 V V V - 11,5 - µC - 86 - nF - 4 - nF - - 5 mA - - 400 nA prepared by: MOD-D2; Mark Münzer approved: SM TM; Christoph Lübke date of publication: 2002-07-29 revision: 2.0 1 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= 1200A, VCC= 600V Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj=25°C VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C min. td,on tr typ. 0,54 0,64 max. µs µs IC= 1200A, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj=25°C VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C - 0,22 0,23 - µs µs IC= 1200A, VCC= 600V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj=25°C VGE=±15V, RGoff =0,62W,T vj= 125°C td,off - 0,82 0,96 - µs µs IC= 1200A, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj=25°C VGE=±15V, RGoff =0,62W,T vj= 125°C tf - 0,15 0,18 245 - µs µs mJ IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH VGE=±15V, RGon=1,8W, T vj= 125°C Eon Eoff ISC - IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH VGE=±15V, RGoff =0,62W, T vj= 125°C - 190 - mJ tP £ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LsCE · çdi/dtç - 4800 - A LsCE RCC´/EE´ - 12 - nH - 0,19 - mW Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Sperrverzögerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Erec 13 35 mJ mJ Qr 55 150 µC µC IRM 390 620 A A VF 2,0 1,8 2,5 V V 2 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Transistor /per transistor, DC pro Diode/per Diode, DC pro Modul / per module lPaste/lgrease =1W/m*K RthJC RthJC RthCK Tvj max Tvj op Tstg typ. 0,006 max. 0,022 0,040 K/W K/W K/W - - 150 °C -40 - 125 °C -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse terminal connection torque Schraube /screw M5 M 4,25 Al2O3 32 mm 20 mm >400 - 5,75 Nm Anschlüsse / terminal M4 M 1,7 - 2,3 Nm Anschlüsse / terminal M8 Gewicht weight M 8 - 10 Nm G 1500 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 2400 2100 Tvj = 25°C IC= f(VCE) VGE= 15V 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,5 Tvj = 125°C 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 3,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 2400 2100 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 Vge=19V Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V IC= f(VCE) Tvj= 125°C 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 2400 2100 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 Tvj=25°C Tvj=125°C IC= f(VGE) VCE= 20V 11 12 13 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 2400 2100 1800 1500 IF [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 VF [V] 1,6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF= f(VF) 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 5 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 800 700 600 500 E [mJ] 400 300 200 100 0 0 300 600 900 Eon Eoff Erec Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=±15V, Rgon=1,8W, Rgoff=0,62W, VCE=600V, Tvj=125°C 1200 IC [A] 1500 1800 2100 2400 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 800 700 600 500 E [mJ] 400 300 , Eon Eoff Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125°C 200 100 0 0 2 4 6 8 10 RG [W] 12 14 16 18 6 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 ZthJC = f (t) ZthJC [K/W] 0,01 Zth : IGBT Zth : Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 i ri [K/kW] : IGBT ti [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode ti [s] : Diode 1 2,63 6,897E-01 11,48 4,452E-01 2 8,62 5,634E-02 12,60 7,451E-02 3 8,49 2,997E-02 13,23 2,647E-02 4 2,26 3,820E-03 2,69 2,850E-03 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 3000 2700 2400 2100 IC [A] 1800 1500 1200 900 600 300 0 0 200 400 IC,Chip IC,Chip VGE=±15V, T vj=125°C 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 7 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 61.5 18 ± 0.2 ± 0.3 C (K) C (K) 29.5 ± 0.5 130 114 E (A) ± 0.5 ± 0.1 E (A) DD... C C C 28.25 ± 0.5 18.25 ± 0.5 M8 G E C 14.75 M ± 0.5 C E FD... E E ± 0.3 8 C E ± 0.2 ± 0.2 14 ± 0.5 C C E C G G 10.35 ± 0.2 E E E 2 + 0.2 28 ± 0.5 4.0 tief 10.65 2.5 tief 48.8 ø7 +0.1 (für M6-Schraube) external connection (to be done) FZ... IH4 8 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. 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