FZ1200R12KL4CNOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ1200R12KL4C 1200VIGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 1200VIGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCES  1200 1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 1200 1900  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  7,80  kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,10 2,40 2,60 2,90 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  13,0  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,3  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  90,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  7,00  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,54 0,57  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,18 0,18  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  1,05 1,15  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,13 0,14  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  165  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  195  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  9,00 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 9000  A 16,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ1200R12KL4C Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime  VRRM  1200 1200  V IF  1200  A IFRM  2400  A I²t  300  kA²s ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,70 2,30 2,20 V V  740 980  A A Qr  105 215  µC µC IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  45,0 80,0  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  18,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 2 32,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ1200R12KL4C Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   17,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   10,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 275  VISOL   kV 2,5   min. typ. RthCH  6,00 LsCE  12  nH RCC'+EE'  0,19  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,7 - 2,3 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight  G  1500  g preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 3 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ1200R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2100 2100 1500 1500 IC [A] 1800 IC [A] 1800 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V VGE = 7 V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.82Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=600V 2400 500 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 450 400 1800 350 1500 IC [A] E [mJ] 300 1200 250 200 900 150 600 100 300 0 50 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 4 0 400 800 1200 IC [A] 1600 2000 2400 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ1200R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 900 ZthJC : IGBT 800 700 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 600 500 400 1 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,6 5,6 3,2 1,6 τi[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 100 0 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 0,1 0,001 12 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=125°C 2800 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 2400 2100 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1800 2000 1500 IF [A] IC [A] 1600 1200 1200 900 800 600 400 0 300 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 5 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ1200R12KL4C IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.82Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=600V 100 100 Erec, Tvj = 125°C 90 90 80 80 70 70 60 60 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0 400 800 1200 IF [A] 1600 2000 0 2400 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 100 ZthJC [K/kW] ZthJC : Diode 10 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,2 11,2 6,4 3,2 τi[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 6 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 12 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ1200R12KL4C Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ1200R12KL4C Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:DTS dateofpublication:2013-10-02 approvedby:TS revision:3.1 8