FZ1200R45HL3BPSA1

FZ1200R45HL3 IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 4500V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • USV-Systeme • Windgeneratoren PotentialApplications • Highpowerconverters • Mediumvoltageconverters • Motordrives • UPSsystems • Windturbines ElektrischeEigenschaften • GroßeDC-Festigkeit • HohedynamischeRobustheit • HoheKurzschlussrobustheit • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • HighDCstability • Highdynamicrobustness • Highshort-circuitcapability • LowVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>600 • IHMBGehäuse • IsolierteBodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>600 • IHMBhousing • Isolatedbaseplate • Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C VCES  4500 4500  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 150°C ICDC  1200  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,35 2,90 3,00 2,80 3,45 3,55 V V V 6,00 6,50 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 105 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 33,5 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,42 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 280 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 4,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 4500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 2800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 2800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 2800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 2800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 2800 V, Lσ = 150 nH di/dt = 4800 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,3 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 2800 V, Lσ = 150 nH du/dt = 2000 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,1 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,37 0,39 0,40 µs µs µs 0,23 0,25 0,26 µs µs µs 5,70 6,00 6,10 µs µs µs 0,34 0,50 0,57 µs µs µs Eon 4000 5300 6000 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 4100 5300 5700 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC 6900 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,50 2 8,20 K/kW 10,0 -40 K/kW 150 °C V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  4500 4500  V IF  1200  A IFRM  2400  A I²t  510 460  PRQM  2400  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 2,50 2,50 2,45 2,95 2,95 2,90 IF = 1200 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1600 1800 1800 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 1200 2000 2300 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1700 3200 3800 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V V 13,8 K/kW 10,5 -40 K/kW 150 °C V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC VISOL  3,50  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  2900  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 6,0 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,095 0,08 mΩ Tstg -40 150 °C 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight typ. G 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1200 g Das maximal zulässige du/dt, definiert zwischen 0,6 und 1×Vce, beträgt 2400V/µs. The maximum allowed dv/dt measured between 0,6 and 1×Vce is 2400V/µs. Datasheet 4 V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2100 2100 1500 1500 IC [A] 1800 IC [A] 1800 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.3Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=2800V 2400 13000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2100 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C 12000 11000 10000 1800 9000 1500 8000 IC [A] E [mJ] 7000 1200 6000 5000 900 4000 600 3000 2000 300 1000 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 400 800 1200 IC [A] 1600 2000 2400 V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=2800V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 20000 100 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C 18000 ZthJC : IGBT 16000 14000 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 12000 10000 8000 1 6000 4000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,231 4,908 1,281 0,734 τi[s]: 0,005 0,053 0,627 5,593 2000 0 0 2 4 6 8 10 12 RG [Ω] 14 16 18 0,1 0,001 20 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C 3000 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 2400 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2100 2500 1800 2000 IF [A] IC [A] 1500 1500 1200 900 1000 600 500 300 0 0 Datasheet 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 VCE [V] 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.3Ω,VCE=2800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=2800V 5000 4500 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 4500 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 4000 4000 3500 3500 3000 3000 E [mJ] E [mJ] 2500 2500 2000 2000 1500 1500 1000 1000 500 500 0 0 300 600 900 0 1200 1500 1800 2100 2400 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 100 2800 ZthJC : Diode IR, Modul 2400 2000 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 1600 1200 1 800 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,472 7,48 2,005 0,834 τi[s]: 0,005 0,05 0,469 5,932 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 7 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 VR [V] V3.3 2019-08-23 FZ1200R45HL3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 8 V3.3 2019-08-23 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2019-08-23 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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