TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
1600
2300
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
3200
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
8,95
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 64,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
19,0
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
145
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
4,70
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,54
0,58
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,16
0,17
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,30
1,50
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,15
0,27
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
290
440
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
435
585
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
9,00
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
6100
A
14,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1700
V
IF
1600
A
IFRM
3200
A
I²t
335
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1600 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
1450
1700
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1600 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
385
670
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1600 A, - diF/dt = 8700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
255
455
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
20,0
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
V
V
32,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
3,4
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
min.
typ.
RthCH
6,00
LsCE
12
nH
RCC'+EE'
0,19
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
-
5,75
Nm
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
1,8
-
2,1
Nm
M
8,0
-
10
Nm
Gewicht
Weight
G
1500
g
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
3
max.
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
3200
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2800
2800
2000
2000
IC [A]
2400
IC [A]
2400
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.9Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=900V
3200
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2800
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
1200
2400
1000
2000
IC [A]
E [mJ]
800
1600
600
1200
400
800
200
400
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
4
0
400
800
1200 1600 2000 2400 2800 3200
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1600A,VCE=900V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
2600
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
2400
ZthJC : IGBT
2200
2000
1800
ZthJC [K/kW]
1600
E [mJ]
1400
1200
10
1000
800
600
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,9 4,9 2,8 1,4
τi[s]:
0,02 0,06 0,1 0,3
200
0
0
1
2
3
4
5
RG [Ω]
6
7
8
1
0,001
9
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=125°C
3600
IC, Chip
IC, Modul
3200
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2800
2800
2400
2400
2000
IF [A]
IC [A]
2000
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ1600R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.9Ω,VCE=900V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1600A,VCE=900V
600
550
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
500
500
450
400
E [mJ]
E [mJ]
400
300
350
300
200
250
100
200
0
0
400
800
150
1200 1600 2000 2400 2800 3200
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC [K/kW]
ZthJC : Diode
10
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 11,2 11,2 6,4 3,2
τi[s]:
0,02 0,06 0,1 0,3
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
6
0
1
2
3
4
5
RG [Ω]
6
7
8
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
8