FZ1600R17KF6B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 1600 3200 3200 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 12,5 kW VGES +/- 20V V IF 1600 A IFRM 3200 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 It 980 kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 1600A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 1600A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 130mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 VCE sat min. typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,1 3,6 6,5 V V V VGE = -15V ... +15V QG 19 µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies 105 nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES 5,3 0,04 20 3 160 400 nF mA mA nA IGES prepared by: Oliver Schilling approved by: Chr. Lübke; 11.10.99 date of publication: 4.9.1999 revision: 2 (Serie) 1(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 1600A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 1600A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH IC = 1600A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 0,9 Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 6400 12 A nH Eoff 670 mWs Eon 430 mWs tf 0,15 0,16 µs µs td,off 1,2 1,2 µs µs tr 0,19 0,19 µs µs td,on 0,3 0,3 µs µs min. typ. max. RCC´+EE´ 0,08 mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 1600A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 1600A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Erec 125 240 mWs mWs Qr 220 460 µAs µAs IRM 920 1350 A A VF min. typ. 2,1 1,95 max. 2,5 2,3 V V 2(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK 0,008 RthJC typ. max. 0,01 0,017 K/W K/W K/W Tvj 150 °C Top -40 125 °C Tstg -40 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G 1050 min. M1 AlN 17 mm 10 mm 275 5 Nm M2 2 8 - 10 Nm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (V CE) V GE = 15V 3500 3000 2500 IC [A] 2000 1500 Tj = 25°C Tj = 125°C 1000 500 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 3500 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V I C = f (V CE) T vj = 125°C 3000 2500 VGE = 9V VGE = 8V IC [A] 2000 1500 1000 500 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (V GE) VCE = 20V 3500 Tj = 25°C Tj = 125°C 3000 2500 IC [A] 2000 1500 1000 500 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 3500 Tj = 125°C I F = f (V F) 3000 Tj = 25°C 2500 IF [A] 2000 1500 1000 500 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Schaltverluste (typisch) Eon = f (I C) , Eoff = f (I C) , Erec = f (I C) Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =0,9 Ω , VCE = 900V, T j = 125°C, V GE = ± 15V 1800 1600 1400 1200 E [mJ] 1000 800 600 400 200 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1600 1400 1200 1000 E [mJ] 800 600 400 200 0 0 1 2 Eoff Eon Erec E on = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 1600A , V CE = 900V , T j = 125°C, V GE = ± 15V 3 4 5 6 7 RG [Ω] 6(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,1 0,01 ZthJC [K / W] 0,001 Zth:Diode Zth:IGBT 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 0,94 0,027 7,85 0,0287 2 4,72 0,052 3,53 0,0705 3 1,425 0,09 1,12 0,153 4 2,92 0,838 4,52 0,988 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 200 400 600 800 1000 IC,Modul IC,Chip Rg = 0,9 Ohm, T vj= 125°C IC [A] 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) FZ1600R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 17 KF6 B2 Äußere Abmessungen / external dimensions 8(8) FZ1600R17KF6B2