FZ1800R12KL4C

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms T C = 80 °C T C = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 1800 2850 3600 V A A A T C=25°C, Transistor Ptot 11,4 kW VGES +/- 20V V IF 1800 A IFRM 3600 A VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C I2t 590 kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 1800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 1800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 72mA, VCE = VGE, T vj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - 19,5 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 135 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - 9 0,05 4 - 2 600 nF mA mA nA IGES - prepared by: Mark Münzer approved by: M. Hierholzer date of publication: 02.09.1999 revision: 2 1(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 1800A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 1800A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 1800A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 1800A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 25°C VGE = ±15V, RG = 0,51Ω , T vj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip T C=25°C IC = 1800A, VCE = 600V, VGE = 15V RG = 0,51Ω , T vj = 125°C, LS = 70nH IC = 1800A, VCE = 600V, VGE = 15V RG = 0,51Ω , T vj = 125°C, LS = 70nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 0,51Ω T Vj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 14000 12 A nH Eoff 295 mWs Eon 230 mWs tf 0,16 0,17 µs µs td,off 1,09 1,18 µs µs tr 0,19 0,2 µs µs td,on 0,59 0,61 µs µs min. typ. max. RCC‘+EE‘ - 0,07 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 1800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 1800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Erec 70 130 mWs mWs Qr 170 380 µAs µAs IRM 990 1290 A A VF min. - typ. 1,8 1,7 max. 2,3 2,2 V V 2(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λ Paste = 1 W/m * K / λ grease = 1 W/m * K RthCK RthJC - typ. 0,006 max. 0,0110 0,0240 K/W K/W K/W T vj - - 150 °C T op -40 - 125 °C T stg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G M1 4,25 Al2O3 32 mm 20 mm > 400 5 5,75 Nm M2 1,7 8 2 2,3 10 Nm Nm g 2250 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I = f (VCE) C VGE = 15V 3600 3000 Tj = 25°C Tj = 125°C 2400 IC [A] 1800 1200 600 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 3600 VGE = 17V I = f (VCE) C Tvj = 125°C 3000 VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V 2400 IC [A] 1800 1200 600 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 VCE [V] 4(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 3600 3000 Tj = 25°C Tj = 125°C 2400 IC [A] 1800 1200 600 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 3600 I = f (VF) F 3000 Tj = 25°C Tj = 125°C 2400 IF [A] 1800 1200 600 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =0,51 Ω , VCE = 600V, Tj = 125°C 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700 3000 3300 3600 Eoff Eon Erec E [mJ] IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1200 Eoff Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 1800A , VCE = 600V , Tj = 125°C 1000 Eon Erec 800 E [mJ] 600 400 200 0 0 2 4 6 8 10 RG [Ω ] 6(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 0,001 0,001 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] τι=[σεχ]== : IGBT ri [K/kW] : Diode τι=[σεχ]== : Diode : IGBT 1 5,00 0,0044 10,18 0,00341 2 4,43 0,0381 5,64 0,0245 3 0,76 0,195 6,44 0,047 4 0,81 0,50 1,74 0,50 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 4200 3600 3000 VGE= +15V, Rg = 0,51Ω , Tvj= 125°C IC [A] 2400 1800 1200 600 0 0 IC,Modul IC,Chip 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C 8(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C