FZ2400R17HE4PB9HPSA1

FZ2400R17HE4P_B9 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundbereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandpre-appliedThermal InterfaceMaterial VCES = 1700V IC nom = 2400A / ICRM = 4800A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse • Kupferbodenplatte • RoHSkonform • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerdensity • IHMBhousing • Copperbaseplate • RoHScompliant • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom  2400  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  4800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 2400 A, VGE = 15 V IC = 2400 A, VGE = 15 V IC = 2400 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,95 2,35 2,45 2,30 2,75 2,90 V V V 5,80 6,40 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 96,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 25,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,65 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 195 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 6,30 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 2400 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 11500 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C RGon = 0,8 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,20 0,46 0,50 0,53 µs µs µs 0,21 0,22 0,23 µs µs µs 1,40 1,55 1,60 µs µs µs 0,16 0,41 0,50 µs µs µs Eon 510 620 650 mJ mJ mJ IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 630 920 1000 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 11000 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 13,1 K/kW -40 150 °C V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1700  V IF  2400  A IFRM  4800  A I²t  1000 940  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,80 1,90 1,95 2,20 2,30 2,40 IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1950 2450 2600 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 530 960 1100 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 330 660 790 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 2400 A, VGE = 0 V IF = 2400 A, VGE = 0 V IF = 2400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 V V V 20,2 K/kW -40 150 °C V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1 19,1  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 6,0 nH RCC'+EE' 0,10 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 400 min. G 4,25 125 °C 125 °C 5,75 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1900 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM laut AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM according to AN2012-07 Datasheet 4 V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 4800 4800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 4400 3600 3600 3200 3200 2800 2800 IC [A] 4000 IC [A] 4000 2400 2400 2000 2000 1600 1600 1200 1200 800 800 400 400 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 4400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.8Ω,RGoff=0.8Ω,VCE=900V 4800 2500 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 4400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 4000 2000 3600 3200 1500 IC [A] E [mJ] 2800 2400 2000 1000 1600 1200 500 800 400 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 800 1600 2400 IC [A] 3200 4000 4800 V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=2400A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 6000 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 5500 ZthJH : IGBT 5000 4500 4000 10 E [mJ] ZthJH [K/kW] 3500 3000 2500 2000 1 1500 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,56 5,07 4,31 2,13 τi[s]: 0,00123 0,0321 0,152 1,12 500 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 0,1 0,001 8,0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.8Ω,Tvj=150°C 5600 IC, Modul IC, Chip 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 4800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 4400 4800 0,01 4000 3600 4000 3200 2800 IF [A] IC [A] 3200 2400 2400 2000 1600 1600 1200 800 800 400 0 0 Datasheet 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.8Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=2400A,VCE=900V 1200 1000 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 900 1000 800 900 700 E [mJ] E [mJ] 800 700 600 500 600 400 500 300 400 200 300 200 0 600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800 IF [A] 100 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 8,0 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 100 ZthJH : Diode ZthJH [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,7 9,43 5,72 3,3 τi[s]: 0,00167 0,032 0,163 1,19 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 7 V3.0 2016-10-17 FZ2400R17HE4P_B9 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 8 V3.0 2016-10-17 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2016-10-17 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2016InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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