TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
2400
3200
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
4800
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
12,5
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 2400 A, VGE = 15 V
IC = 2400 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 96,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
28,0
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,8
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
215
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
7,00
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 2400 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,61
0,66
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 2400 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,18
0,19
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 2400 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,40
1,60
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 2400 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,16
0,29
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
390
590
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 0,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
680
910
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
9,00
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
9200
A
10,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1700
V
IF
2400
A
IFRM
4800
A
I²t
610
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 2400 A, VGE = 0 V
IF = 2400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
2050
2450
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
570
990
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
390
690
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
20,0
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
V
V
24,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
3,4
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
min.
typ.
RthCH
6,00
LsCE
12
nH
RCC'+EE'
0,19
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
-
5,75
Nm
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
1,8
-
2,1
Nm
M
8,0
-
10
Nm
Gewicht
Weight
G
1500
g
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
3
max.
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ2400R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
4800
4800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4400
3600
3600
3200
3200
2800
2800
IC [A]
4000
IC [A]
4000
2400
2400
2000
2000
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
4400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.6Ω,RGoff=0.8Ω,VCE=900V
4800
2000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4400
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
1800
4000
1600
3600
1400
3200
1200
IC [A]
E [mJ]
2800
2400
1000
2000
800
1600
600
1200
400
800
200
400
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
4
0
600
1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ2400R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=2400A,VCE=900V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
3750
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
3500
ZthJC : IGBT
3250
3000
2750
2500
10
ZthJC [K/kW]
2250
E [mJ]
2000
1750
1500
1250
1
1000
750
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,5 3,5 2
1
τi[s]:
0,02 0,06 0,1 0,3
500
250
0
0,1
0,001
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.8Ω,Tvj=125°C
5200
IC, Modul
4800
IC, Chip
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
4800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4400
4400
4000
4000
3600
3600
3200
3200
2800
IF [A]
IC [A]
2800
2400
2400
2000
2000
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
0,01
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ2400R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.6Ω,VCE=900V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=2400A,VCE=900V
1000
800
Erec, Tvj = 125°C
750
900
Erec, Tvj = 125°C
700
800
650
700
600
550
E [mJ]
E [mJ]
600
500
500
450
400
400
300
350
200
300
100
0
250
0
600
200
1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
ZthJC [K/kW]
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 8,4 8,4 4,8 2,4
τi[s]:
0,02 0,06 0,1 0,3
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
6
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
RG [Ω]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MW
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:CL
revision:2.0
8