FZ3600R17HE4PHPSA1

FZ3600R17HE4P IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundbereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandpre-appliedThermal InterfaceMaterial VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse • Kupferbodenplatte • RoHSkonform • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerdensity • IHMBhousing • Copperbaseplate • RoHScompliant • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 70°C, Tvj max = 175°C IC nom  3600  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  7200  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 3600 A, VGE = 15 V IC = 3600 A, VGE = 15 V IC = 3600 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,95 2,35 2,45 2,30 2,75 2,90 V V V 5,80 6,40 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 145 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 38,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,54 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 295 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 9,50 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 12000 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C RGon = 0,5 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,20 0,66 0,74 0,78 µs µs µs 0,28 0,29 0,295 µs µs µs 1,60 1,80 1,85 µs µs µs 0,175 0,315 0,395 µs µs µs Eon 650 800 900 mJ mJ mJ IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,5 Ω Tvj = 150°C Eoff 1100 1500 1600 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 14000 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 9,85 K/kW -40 150 °C V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1700  V IF  3600  A IFRM  7200  A I²t  1800 1700  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,80 1,90 1,95 2,20 2,30 2,40 IF = 3600 A, - diF/dt = 12000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 2600 3150 3300 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 3600 A, - diF/dt = 12000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 730 1350 1550 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 3600 A, - diF/dt = 12000 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 490 950 1100 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 3600 A, VGE = 0 V IF = 3600 A, VGE = 0 V IF = 3600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 V V V 16,4 K/kW -40 150 °C V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1 19,1  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 6,0 nH RCC'+EE' 0,085 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 400 min. G 4,25 125 °C 125 °C 5,75 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1900 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM laut AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM according to AN2012-07 Datasheet 4 V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 7200 7200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 6600 5400 5400 4800 4800 4200 4200 IC [A] 6000 IC [A] 6000 3600 3600 3000 3000 2400 2400 1800 1800 1200 1200 600 600 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 6600 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.5Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=900V 7200 4000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 6600 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 3600 6000 3200 5400 2800 4800 2400 IC [A] E [mJ] 4200 3600 2000 3000 1600 2400 1200 1800 800 1200 400 600 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 800 1600 2400 3200 4000 4800 5600 6400 7200 IC [A] V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=3600A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 6000 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 5500 ZthJH : IGBT 5000 4500 4000 10 E [mJ] ZthJH [K/kW] 3500 3000 2500 2000 1 1500 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,21 3,69 3,21 1,73 τi[s]: 0,00109 0,036 0,17 1,04 500 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=150°C 8400 IC, Modul IC, Chip 7800 0,1 0,001 5,0 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 7200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 6600 7200 0,01 6000 6600 5400 6000 4800 5400 4200 IF [A] IC [A] 4800 4200 3600 3600 3000 3000 2400 2400 1800 1800 1200 1200 600 600 0 0 Datasheet 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.5Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=3600A,VCE=900V 1500 1500 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1400 1300 1300 1200 1200 1100 1100 1000 900 E [mJ] E [mJ] 1000 800 900 800 700 700 600 600 500 400 500 300 400 200 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1400 0 900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200 IF [A] 300 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 5,0 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 100 ZthJH : Diode ZthJH [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,33 7,05 5,23 2,8 τi[s]: 0,00147 0,034 0,168 1,11 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 7 V3.0 2016-10-17 FZ3600R17HE4P Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 8 V3.0 2016-10-17 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2016-10-17 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2016InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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