TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
3600
4800
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
7200
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
20,0
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 3600 A, VGE = 15 V
IC = 3600 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 145 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
42,0
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,5
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
325
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
10,5
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,74
0,80
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,20
0,25
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,45
1,80
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,18
0,30
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
545
790
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
975
1450
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
8,70
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
14000
A
6,30 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1700
V
IF
3600
A
IFRM
7200
A
I²t
1500
kA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 3600 A, VGE = 0 V
IF = 3600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
3050
3300
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
875
1450
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
575
1000
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
19,5
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
V
V
14,0 K/kW
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
VISOL
kV
4,0
min.
typ.
RthCH
6,00
LsCE
10
nH
RCC'+EE'
0,12
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
-
5,75
Nm
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
1,8
-
2,1
Nm
M
8,0
-
10
Nm
Gewicht
Weight
G
1500
g
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
3
max.
K/kW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ3600R17KE3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
7200
7200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
5400
5400
4800
4800
4200
4200
IC [A]
6000
IC [A]
6000
3600
3600
3000
3000
2400
2400
1800
1800
1200
1200
600
600
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.4Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=900V
7200
2750
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
2500
6000
2250
5400
2000
4800
1750
4200
IC [A]
E [mJ]
1500
3600
1250
3000
1000
2400
750
1800
1200
500
600
250
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
6600
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
4
0
900
1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ3600R17KE3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=3600A,VCE=900V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
5500
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
5000
ZthJC : IGBT
4500
4000
10
ZthJC [K/kW]
3500
E [mJ]
3000
2500
2000
1
1500
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,26 1,26 2,52 1,26
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
500
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
3,5
0,1
0,001
4,0
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=125°C
7800
IC, Modul
7200
IC, Chip
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
7200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
6600
6000
6000
5400
5400
4800
4800
4200
IF [A]
IC [A]
4200
3600
3600
3000
3000
2400
2400
1800
1800
1200
1200
600
600
0
0,01
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FZ3600R17KE3_B2
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.4Ω,VCE=900V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=3600A,VCE=900V
1300
1500
Erec, Tvj = 125°C
1200
1100
1300
1000
1200
900
1100
1000
700
E [mJ]
E [mJ]
800
600
900
800
500
700
400
600
300
200
500
100
400
0
Erec, Tvj = 125°C
1400
0
900
300
1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
ZthJC [K/kW]
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,8 2,8 5,6 2,8
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
6
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
3,5
4,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
8