FZ400R12KS4PHOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundbereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandpre-appliedThermalInterface Material VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A TypischeAnwendungen • AnwendungenfürResonanzUmrichter • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • MedizinischeAnwendungen • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme TypicalApplications • Resonantinverterapplications • HighFrequencySwitchingapplication • Medicalapplications • Motordrives • Servodrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheKurzschlussrobustheit • NiedrigeSchaltverluste • SehrgroßeRobustheit • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • Highshort-circuitcapability • Lowswitchinglosses • Unbeatablerobustness • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Isolatedbaseplate • Copperbaseplate • Standardhousing • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ModuleLabelCode DMX-Code preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 35°C, Tvj max = 150°C IC nom  400  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,20 3,85 3,70 V V 5,50 6,50 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 16,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 4,20 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 26,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth 4,50 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,10 0,11 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,06 0,07 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,53 0,55 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,03 0,04 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs RGon = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 22,0 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 29,0 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 2600 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJH Tvj op preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 2 0,0617 K/W -40 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  400  A IFRM  800  A I²t  35000  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,00 1,70 2,40 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 280 420 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 24,0 64,0 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 16,0 32,0 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 3 V V 0,0915 K/W -40 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  25,0 19,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  25,0 10,0  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,01 K/W Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 16 nH RCC'+EE' 0,50 mΩ Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight G Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 4 3,00 125 °C 125 °C 6,00 Nm 1,1 - 2,0 Nm 2,5 - 5,0 Nm 340 g TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ400R12KS4P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 800 800 700 700 600 600 500 500 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.2Ω,RGoff=2.2Ω,VCE=600V 800 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 700 80 600 60 E [mJ] IC [A] 500 400 40 300 200 20 100 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 5 0 100 200 300 400 IC [A] 500 600 700 800 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ400R12KS4P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 200 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 180 ZthJH : IGBT 160 140 ZthJH [K/W] E [mJ] 120 100 80 0,01 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0047 0,0222 0,0254 0,0094 τi[s]: 0,000415 0,032 0,142 1,098 20 0 0 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 0,001 0,001 16 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.2Ω,Tvj=125°C 900 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 800 IC, Modul IC, Chip 800 0,01 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 700 600 600 500 IF [A] IC [A] 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ400R12KS4P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.2Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=600V 40 40 Erec, Tvj = 125°C 35 35 30 30 25 25 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 0 800 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0,1 ZthJH [K/W] ZthJH : Diode 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0077 0,0319 0,0373 0,0146 τi[s]: 0,000686 0,0244 0,107 1,12 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 7 0 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 16 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon preparedby:AKB dateofpublication:2016-06-14 approvedby:MK revision:V2.0 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FZ400R12KS4P VorläufigeDaten PreliminaryData Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved.   Nutzungsbedingungen  WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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