FZ400R33KL2CB5NOSA1

FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten/PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VCES  3300 3300  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 400 750  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 3,00 3,70 3,65 4,45 V V 5,10 6,00 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V QG 7,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 48,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat 4,20 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 1,00 1,00 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 13 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,40 0,40 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 3,70 3,90 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,25 0,35 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs RGon = 6,2 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 900 1200 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 13 Ω, CGE = 100 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 440 600 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 1800 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 1 25,5 K/kW 24,0 -40 K/kW 125 °C V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  400  A IFRM  800  A I²t  72,0  kA²s PRQM  600  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase max. V V IRM 600 670 A A IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 270 480 µC µC IF = 400 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 250 500 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet typ. 2,60 t.b.d. 2,55 2 51,0 K/kW 48,0 -40 K/kW 125 °C V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 s VISOL  10,4  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC VISOL  5,1  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  2150  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AlN  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  64,0 56,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  40,0 26,0  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 16,0 K/kW Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 25 nH RCC'+EE' 0,37 mΩ Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C 5,75 Nm 10 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 8,0 Gewicht Weight Datasheet G 3 500 g V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 800 800 700 700 600 600 500 500 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=13Ω,VCE=1800V,CGE=100nF 800 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 2700 700 2400 600 2100 1800 E [mJ] IC [A] 500 400 1500 1200 300 900 200 600 100 0 300 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 4 0 100 200 300 400 IC [A] 500 600 700 800 V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=1800V,CGE=100nF TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 4000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 3600 ZthJC : IGBT 3200 2800 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 2400 2000 1600 1 1200 800 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,475 6,375 1,53 6,12 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 400 0 0 5 10 15 20 25 RG [Ω] 30 35 40 0,1 0,001 45 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=13Ω,Tvj=125°C,CGE=100nF 1000 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 800 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 800 600 500 IF [A] IC [A] 600 400 400 300 200 200 100 0 0 Datasheet 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=6.2Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=1800V 800 600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 700 500 600 400 E [mJ] E [mJ] 500 400 300 300 200 200 100 100 0 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 0 800 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 35 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 1000 ZthJC : Diode IR, Modul 800 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 600 400 1 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 6 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 V2.1 2018-01-15 FZ400R33KL2C_B5 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 7 V2.1 2018-01-15 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-01-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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