0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
FZ600R12KE4

FZ600R12KE4

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    MODULE_106.4X61.4MM

  • 描述:

    功率模块 Single Pd=3KW Vrrm=1.2KV If=600A

  • 数据手册
  • 价格&库存
FZ600R12KE4 数据手册
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 62mmC-Seriesモジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode 暫定データ/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 600A / ICRM = 1200A 一般応用 • ハイパワーコンバータ • モーター駆動 • UPSシステム • 風力タービン TypicalApplications • HighPowerConverters • MotorDrives • UPSSystems • WindTurbines 電気的特性 • 拡張された動作温度Tvjop • 低スイッチング損失 • 優れたロバスト性 • 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧 • 低VCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • LowSwitchingLosses • UnbeatableRobustness • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • LowVCEsat 機械的特性 MechanicalFeatures • 4kVAC1分 絶縁耐圧 • 4kVAC1minInsulation • CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400 • 長い縁面/空間距離 • HighCreepageandClearanceDistances • 絶縁されたベースプレート • IsolatedBasePlate • 標準ハウジング • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom  600  A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1200  A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  3000  W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VCE sat typ. max. 1,75 2,00 2,05 2,10 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  5,60  µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,3  Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  42,0  nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,70  nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,24 0,25 0,26  µs µs µs tr  0,09 0,10 0,11  µs µs µs td off  0,61 0,64 0,66  µs µs µs tf  0,10 0,14 0,15  µs µs µs ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,2 Ω Tvj = 150°C Eon  35,0 50,0 55,0  mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,2 Ω Tvj = 150°C Eoff  50,0 75,0 80,0  mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC   ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,017 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 2400  A 0,05 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent  ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1200  V IF  600  A IFRM  1200  A I²t  51000 49000  電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,75 1,70 2,35 A²s A²s 順電圧 Forwardvoltage IF = 600 A, VGE = 0 V IF = 600 A, VGE = 0 V IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM  440 560 590  A A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr  55,0 100 115  µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 600 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec  27,0 52,0 60,0  mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC   ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,024 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 3 V V V 0,07 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate   内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL  4,0  kV  Cu     Al2O3   連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   25,0 19,0  mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   25,0 10,0  mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex  CTI  > 400  ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule  パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature  min. typ. RthCH  0,01 LsCE  16  nH RCC'+EE'  0,50  mΩ Tstg -40  125 °C 3,00 - 6,00 Nm 1,1 - 2,0 Nm 2,5 - 5,0 Nm  340  g 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 質量 Weight  G preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 4  max. K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1200 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 800 800 IC [A] 1000 IC [A] 1000 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.2Ω,VCE=600V 1200 200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 180 1000 160 140 800 E [mJ] IC [A] 120 600 100 80 400 60 40 200 20 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 5 0 200 400 600 IC [A] 800 1000 1200 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=600A,VCE=600V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 500 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 450 400 ZthJC : IGBT 350 ZthJC [K/W] E [mJ] 300 250 200 0,01 150 100 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,013 0,0145 0,01625 0,00625 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 50 0 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 0,001 0,001 12 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.2Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1400 1200 IC, Modul IC, Chip 1300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1200 1000 1100 1000 800 900 IF [A] IC [A] 800 700 600 600 500 400 400 300 200 200 100 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.2Ω,VCE=600V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=600A,VCE=600V 80 80 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 70 60 60 50 50 E [mJ] E [mJ] 70 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0 200 400 600 IF [A] 800 1000 0 1200 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0,1 ZthJC [K/W] ZthJC : Diode 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0182 0,0203 0,02275 0,00875 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,001 0,001 0,01 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 7 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 12 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines In fin e o n preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 8 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ600R12KE4 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。  この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価  上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.1 9 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FZ600R12KE4
FZ600R12KE4 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“FZ600R12KE4”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货