FZ600R17KE3S4HOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 1700V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • Windgeneratoren TypicalApplications • HighPowerConverters • MotorDrives • WindTurbines ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • SehrgroßeRobustheit • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • UnbeatableRobustness • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • 4kVAC1minInsulation • PackagewithCTI>400 • HighCreepageandClearanceDistances • IsolatedBasePlate • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 600 840  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1200  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  3150  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,00 2,40 2,45 V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  7,00  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,3  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  54,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,70  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   3,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,30  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,08 0,10  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,80 1,00  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,12 0,20  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V, di/dt = 4600 A/µs RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  140 200  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V, du/dt = 3750 V/µs RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  130 190  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,016 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 2400  A 0,04 K/W K/W 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1700  V IF  600  A IFRM  1200  A I²t  56500  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,90 2,20 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 600 A, VGE = 0 V IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM  640 700  A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr  150 250  µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  81,0 145  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,026 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 3 V V 0,065 K/W K/W 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL  4,0  kV  Cu     Al2O3   Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   25,0 19,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   25,0 10,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 400   min. typ. max. LsCE  16  nH RCC'+EE'  0,50  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,8 - 2,1 Nm M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht Weight  G  340  g preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ600R17KE3_S4 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1200 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1100 1000 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 1000 900 800 800 IC [A] IC [A] 700 600 600 500 400 400 300 200 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 500 800 400 E [mJ] 1000 IC [A] 1,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=900V 1200 600 300 400 200 200 100 0 0,5 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 5 0 200 400 600 IC [A] 800 1000 1200 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ600R17KE3_S4 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=600A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1100 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1000 ZthJC : IGBT 900 800 ZthJC [K/W] E [mJ] 700 600 500 0,01 400 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,004 0,012 0,016 0,008 τi[s]: 0,01 0,04 0,06 0,3 100 0 0 5 10 15 20 0,001 0,001 25 0,01 0,1 t [s] RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125°C 1300 IC, Modul 1200 IC, Chip 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1100 1000 1000 900 800 700 IF [A] IC [A] 800 600 600 500 400 400 300 200 200 100 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ600R17KE3_S4 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=600A,VCE=900V 200 180 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 180 160 160 140 140 120 E [mJ] E [mJ] 120 100 100 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0 200 400 600 IF [A] 800 1000 0 1200 0,1 ZthJC [K/W] ZthJC : Diode 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0065 0,0195 0,026 0,013 τi[s]: 0,01 0,04 0,06 0,3 0,01 0,1 t [s] 5 10 15 RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0,001 0,001 0 1 10 preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 7 20 25 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ600R17KE3_S4 Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:KY dateofpublication:2013-10-03 approvedby:WR revision:3.0 9