FZ750R65KE3NOSA1

FZ750R65KE3 hochisolierendesModul highinsulatedmodule VCES = 6500V IC nom = 750A / ICRM = 1500A PotentielleAnwendungen • Mittelspannungsantriebe • Traktionsumrichter PotentialApplications • Mediumvoltageconverters • Tractiondrives ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = -55°C • GehäusemitCTI>600 • Gehäuse mit erweiterten Isolationseigenschaftenvon10,4kVAC10s • GroßeLuft-undKriechstrecken MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Extended storage temperature down to Tstg = -55°C • PackagewithCTI>600 • Package with enhanced insulation of 10.4kV AC 10s • Highcreepageandclearancedistances ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = -50°C VCES  6500 6500 5900  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom  750  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1500  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,00 3,70 3,40 4,20 V V 6,00 6,60 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 750 A, VGE = 15 V IC = 750 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 100 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 3600V QG 31,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,75 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 205 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,20 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 6500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat 5,40 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 750 A, VCE = 3600 V VGE = ±15 V RGon = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,70 0,80 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 750 A, VCE = 3600 V VGE = ±15 V RGon = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,33 0,40 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 750 A, VCE = 3600 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 7,30 7,60 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 750 A, VCE = 3600 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,40 0,50 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 750 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH VGE = ±15 V RGon = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 4200 6500 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 750 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 3600 4200 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 4500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 4500 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 2 8,70 K/kW 8,80 -50 K/kW 125 °C V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = -50°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  6500 6500 5900  V IF  750  A IFRM  1500  A I²t  470  kA²s PRQM  3000  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,00 2,95 3,50 3,50 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 750 A, VGE = 0 V IF = 750 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1100 1200 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 850 1600 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 750 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 1400 3000 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V 18,5 K/kW 14,0 -50 K/kW 125 °C V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 s VISOL  10,4  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC VISOL  5,1  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  3800  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AlN  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  56,0 56,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  26,0 26,0  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 18 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,12 0,12 mΩ Tstg -55 125 °C 4,25 5,75 Nm SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Datasheet G 4 max. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1400 g V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1500 1500 Tvj = 25°C Tvj = 125°C VGE = 20 V VGE = 15 V VGE = 12 V VGE = 10 V 1000 1000 IC [A] 1250 IC [A] 1250 750 750 500 500 250 250 0 0,0 1,0 2,0 3,0 VCE [V] 4,0 5,0 0 6,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 VCE [V] 6,0 7,0 8,0 9,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=3600V 1500 18000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 16000 1250 14000 1000 12000 E [mJ] IC [A] 10000 750 8000 500 6000 4000 250 2000 0 6 Datasheet 7 8 9 10 VGE [V] 11 12 0 13 5 0 250 500 750 IC [A] 1000 1250 1500 V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=750A,VCE=3600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 14000 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 12000 10000 E [mJ] ZthJC [K/kW] 8000 6000 1 4000 2000 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 0,44 5,62 1,67 0,96 τi[s]: 0,004 0,044 0,405 3,93 0 1 2 3 4 5 6 7 RG [Ω] 8 9 0,1 0,001 10 11 12 0,01 0,1 1 10 100 t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=125°C 1750 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1500 Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1500 1250 1250 1000 IF [A] IC [A] 1000 750 750 500 500 250 250 0 2000 Datasheet 3000 4000 5000 VCE [V] 6000 0 7000 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 VF [V] 6 V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1Ω,VCE=3600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=750A,VCE=3600V 4400 3300 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 3600 2700 3200 2400 2800 2100 2400 1800 E [mJ] 3000 E [mJ] 4000 2000 1500 1600 1200 1200 900 800 600 400 300 0 0 250 500 750 IF [A] 1000 1250 0 1500 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0,0 0,5 1,0 1,5 RG [Ω] 2,0 2,5 3,0 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 1750 ZthJC : Diode IR, Modul 1500 1250 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 1000 750 1 500 250 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,69 11,49 2,82 1,61 τi[s]: 0,005 0,048 0,313 3,348 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t [s] Datasheet 7 0 1000 2000 3000 4000 VR [V] 5000 6000 7000 V3.2 2018-01-15 FZ750R65KE3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 8 V3.2 2018-01-15 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-01-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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