FZ800R33KF2CNOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VCES  3300 3300  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 800 1300  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  1600  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot  9,60  kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 3,40 4,30 4,25 5,00 V V 4,2 5,1 6,0 V QG  15,0  µC Tvj = 25°C RGint  0,63  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  100  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  5,40  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 80,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,28  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,18 0,20  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  1,55 1,70  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,20 0,20  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V RGon = 1,4 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  930 1450  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 1800 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω, CGE = 150 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  870 1000  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  9,00 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 4000  A 13,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  800  A IFRM  1600  A I²t  220  kA²s Tvj = 125°C PRQM  1600  kW  ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 V V  1100 1300  A A Qr  500 900  µC µC IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  490 1150  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  18,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 2 26,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  1800  V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate    AlSiC   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   AlN   Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   19,1 19,1  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 400   min. typ. RthCH  6,00 LsCE  12  nH RCC'+EE'  0,19  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,8 - 2,1 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight  G  1000  g preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 3 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 1400 1000 1000 IC [A] 1200 IC [A] 1200 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.4Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=1800V,CGE=150 nF 6000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 5000 1200 4000 E [mJ] IC [A] 1000 800 3000 600 2000 400 1000 200 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 4 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=1800V,CGE=150nF TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 8000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 7000 ZthJC : IGBT 6000 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 5000 4000 3000 1 2000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,85 3,25 0,78 3,12 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 1000 0 0,1 0,001 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125°C,CGE=150nF 1800 IC, Modul IC, Chip 1600 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 1400 1200 1200 1000 IF [A] IC [A] 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.4Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=1800V 1600 1600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 1200 1200 1000 1000 E [mJ] 1400 E [mJ] 1400 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 RG [Ω] SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 2000 ZthJC : Diode IR, Modul 1800 1600 1400 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 1200 1000 800 1 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 200 0 10 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 6 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.1 8