物料型号：IAUT165N08S5N029
器件简介：OptiMOS™-5 功率晶体管，N 通道增强模式，符合 AEC 标准，适用于高达 175°C 的工作温度，符合 RoHS 标准。
引脚分配：Drain（漏极）- Tab，Gate pin（栅极）- 1，Source pin（源极）- 2-8。
参数特性：漏源击穿电压 80V，连续漏极电流 165A，脉冲漏极电流 660A，雪崩能量 225mJ，雪崩电流 165A，栅源电压 +20V，功率耗散 167W，工作和存储温度范围 -55...+175°C。
功能详解：超低导通电阻，100% 雪崩测试，适用于高温操作和回流焊。
应用信息：适用于汽车电子和高可靠性应用。
封装信息：PG-HSOF-8-1，标记为 5N08029。
