IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    TO-252(DPAK)

  • 描述:

    IDD10SG60CXTMA2

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IDD10SG60CXTMA2 数据手册
IDD10SG60C 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Product Summary • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide VDC 600 V • No reverse recovery / No forward recovery QC 16 nC • Temperature independent switching behavior IF; TC< 130 °C 10 A • Switching behavior benchmark • High surge current capability • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Breakdown voltage tested at 20mA2) • Optimized for high temperature operation • Lowest Figure of Merit QC/IF thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like: • SMPS e.g.; CCM PFC • Motor Drives; Solar Applications; UPS Type Package Marking Pin 1 Pin 2 Pin 3 IDD10SG60C PG-TO252-3 D10G60C n.c. A C Maximum ratings Parameter Symbol Conditions Continuous forward current IF Value T C
IDD10SG60CXTMA2
物料型号: IDD10SG60C

器件简介: - 采用革命性的半导体材料 - 碳化硅 - 开关行为基准 - 无反向恢复/无正向恢复 - 温度独立的开关行为 - 高浪涌电流能力 - 无铅引线镀层,符合RoHS标准 - 针对目标应用通过了JEDEC标准认证 - 优化了高温操作 - 最低的品质因数QC/IF

引脚分配: - PG-TO252-3封装 - 引脚1: n.c.(无连接) - 引脚2: A(阳极) - 引脚3: 空

参数特性: - 持续正向电流: 10A (Tc<130°C) - 浪涌非重复正向电流: 51A (Tc=25°C, tp=10ms) / 44A (Tc=150°C, tp=10ms) - 非重复峰值正向电流: 410A (Tc=25°C, tp=10us) - 热阻: RthJC 1.25 K/W, RthJA 75 K/W (SMD版本,设备在PCB上,最小足迹) - 重复峰值反向电压: 600V - 功率耗散: 120W (Tc=25°C)

功能详解: - 适用于快速开关应用,如SMPS(例如CCM PFC)、电机驱动、太阳能应用、UPS等。

应用信息: - 该二极管设计用于高温操作,具有最低的品质因数QC/IF,优化了高温性能。

封装信息: - PG-TO252-3封装,带有详细的尺寸和引脚标记。
IDD10SG60CXTMA2 价格&库存

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IDD10SG60CXTMA2
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IDD10SG60CXTMA2
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    • 50+30.9932450+4.03704
    • 100+22.20022100+2.89170
    • 200+21.85198200+2.84634

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