物料型号：IDH02G65C5
器件简介：Infineon的第五代thinQ!
™ SiC肖特基二极管，采用650V SiC肖特基二极管技术，具有改进的热特性和更低的优值（Qc x Vf），适用于高效率应用。
引脚分配：Pin 1 - A（阳极），Pin 2 - n.a.（不适用）
参数特性：包括但不限于VDc（650V）、QC（在400V下为4nC）、EVB（400V下为0.8FJ）、IF@Tc<155°C（2A）
功能详解：具有革命性的半导体材料 - 碳化硅，基准开关行为，无反向恢复/无正向恢复，温度独立的开关行为，高浪涌电流能力，无铅引脚镀层，符合RoHS标准。
应用信息：适用于开关模式电源、功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源等多种应用。
封装信息：PG-TO220-2封装，标记为D0265C5。
