物料型号：
- 型号：IDK02G65C5
- 封装：PG-TO263-2
- 标记：D0265C5
器件简介：
- 英飞凌第五代thinQ!™ SiC肖特基二极管，采用650V SiC肖特基二极管技术。结合了改进的热特性和更低的优值（Qc x Vf），在所有负载条件下都能提高效率。该系列产品旨在补充英飞凌的650V CoolMOS™家族产品，满足此电压范围内最严格的应用要求。
引脚分配：
- Pin 1: C（阴极）
- Pin 2: A（阳极）
- Pin 3: 不适用（n.a.）
参数特性：
- 阻断电压（VDC）：650V
- 正向导通电压（VF）：在IF=2A, Tj=25°C时为1.5~1.8V，在IF=2A, Tj=150°C时为1.8~2.2V
- 反向电流（IR）：在VR=600V, Tj=25°C时为0.02~35μA，在VR=650V, Tj=150°C时为0.4~240μA
- 总电容电荷（Qc）：在VR=400V, di/dt=200A/μs时为4nC
- 总电容（C）：在VR=1V, f=1MHz时为70pF，在VR=300V, f=1MHz时为9.1pF，在VR=600V, f=1MHz时为8.9pF
功能详解：
- 革命性的半导体材料 - 碳化硅
- 基准开关行为，无反向恢复/无正向恢复，温度独立的开关行为
- 高浪涌电流能力
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 针对高温操作优化，提高系统效率，降低运行温度，减少EMI
应用信息：
- 开关模式电源
- 功率因数校正
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
封装信息：
- 封装类型：PG-TO263-2
- 详细尺寸信息请参考PDF文档中的图表和表格。
