物料型号：IDW10G120C5B
器件简介：这是英飞凌的第五代CoolSiC™ 1200 V SiC肖特基二极管。
引脚分配：Pin 1 – 阳极1，Pin 2 和背面 – 阴极，Pin 3 – 阳极2
参数特性：重复峰值反向电压 (VRRM) 为1200 V，连续正向电流因结温不同而变化，例如在 Tc=25°C时为17/34 A，Tc=150°C时为65/130 A。
瞬态正向电流 IF.SM 在 Tc=25°C 时为70/140 A。
功能详解：该器件使用革命性的半导体材料碳化硅，无反向恢复电流，无正向恢复，温度独立的开关行为，低正向电压，优异的热性能，扩展的浪涌电流能力，额定的dv/dt坚固性，符合JEDEC标准，无铅引脚镀层，符合RoHS标准。
应用信息：适用于太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、功率因数校正等。
封装信息：PG-TO247-3，具体尺寸见数据手册中的图纸。
