物料型号：IDW30G120C5B
器件简介：第五代CoolSiC™ 1200V SiC肖特基二极管，采用革命性的半导体材料碳化硅制造，无反向恢复电流，无正向恢复，温度独立的开关特性，低正向电压，优异的热性能，扩展的浪涌电流能力，符合JEDEC标准，无铅引脚镀层，符合RoHS标准。
引脚分配：Pin 1 – 阳极1，Pin 2 和背面 – 阴极，Pin 3 – 阳极2。
参数特性：重复峰值反向电压1200V，连续正向电流15/30A，最大浪涌非重复正向电流120/240A，非重复峰值正向电流1230/2460A，二极管dv/dt耐受性150V/ns。
功能详解：系统效率提高，支持更高频率/增加功率密度的解决方案，减小系统尺寸/成本，减少散热器需求和小型磁件，降低EMI，整个负载范围内的最高效率，浪涌事件期间的稳健二极管操作，高可靠性。
应用信息：太阳能逆变器，不间断电源，电机驱动，功率因数校正。
封装信息：PG-TO247-3，详细尺寸数据在文档中有描述。
