物料型号：IDW32G65C5B
器件简介：Infineon第5代thinQ!™ SiC肖特基二极管，采用创新的半导体材料碳化硅，具有革命性的开关行为，无需反向恢复和正向恢复时间，且开关行为与温度无关。
引脚分配：表格2显示了3个引脚的定义，分别为Pin 1（A），Pin 2（C），Pin 3（A）。
参数特性：表格1列出了关键性能参数，包括650V的击穿电压，2x23 nC的Qc参数，2x5.4 mJ的Ec参数，以及2x16 A的IF参数。
功能详解：该二极管设计用于高效率和高温操作，具有高浪涌电流能力，符合RoHS标准，并通过JEDEC标准认证。
应用信息：适用于开关电源、功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源等应用。
封装信息：IDW32G65C5B型号的封装为PG-TO247-3，标记为D3265B5。
