IKQ75N120CH3

物料型号：IKQ75N120CH3

器件简介： - 该IGBT采用了高速H3技术，适用于硬开关和共振拓扑结构，具有高效率。 - 它易于并联，具有正温度系数。 - 低电磁干扰（EMI）。 - 内置软恢复、快速恢复的全电流反并联发射极控制二极管。 - 无铅引线镀层，符合RoHS标准。

引脚分配： - 文档提到了PG-TO247-3-46封装的引脚分布，但是具体的引脚分配信息需要查看文档中的封装图。

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCE）：1200V - 集电极电流（Ic）：75A - 饱和压降（VCEsat,Tv=25°C）：2V - 最大工作结温（Tvjmax）：175°C - 封装类型：PG-TO247-3-46

功能详解： - 该IGBT适用于工业UPS、充电器、储能、三层太阳能串逆变器、焊接等应用。 - 产品通过了JEDEC47/20/22的相关测试，适用于工业应用。

应用信息： - 适用于需要高速开关和低损耗的应用场景。

封装信息： - 封装类型：PG-TO247-3-46 - 封装尺寸：文档中提供了详细的尺寸参数，包括最小值、典型值和最大值。