IPA70R360P7SXKSA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
SOT78
描述：

数据手册：

下载IPA70R360P7SXKSA1.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

IPA70R360P7SXKSA1 数据手册

IPA70R360P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerDevice PG-TO220FP CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, lighting,TV,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. Drain Pin 2 Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard *1 Gate Pin 1 *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors Potentialapplications RecommendedforFlybacktopologiesforexampleusedinChargers, Adapters,LightingApplications,etc. Productvalidation QualifiedaccordingtoJEDECStandard Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 700 V RDS(on),max 0.36 Ω Qg,typ 16.4 nC ID,pulse 34 A Eoss @ 400V 1.8 µJ V(GS)th,typ 3 V ESD class (HBM) 2 Type/OrderingCode Package IPA70R360P7S PG-TO 220 FullPAK Final Data Sheet Marking 70S360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.2,2020-01-27 700VCoolMOSªP7PowerDevice IPA70R360P7S TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Final Data Sheet 2 Rev.2.2,2020-01-27 700VCoolMOSªP7PowerDevice IPA70R360P7S 1Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 12.5 7.5 A TC = 20°C TC = 100°C - 34.0 A TC=25°C - - 4.5 A measured with standard leakage inductance of transformer of 10µH dv/dt - - 100 V/ns VDS=0...400V Gate source voltage VGS -16 -30 - 16 30 V static; AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 26.5 W TC=25°C Operating and storage temperature Tj,Tstg -40 - 150 °C - Continuous diode forward current IS - - 5.7 A TC=25°C IS,pulse - - 34.0 A TC = 25°C dv/dt - - 1 V/ns VDS=0...400V,ISD

下载 PDF

IPA70R360P7SXKSA1

物料型号：IPA70R360P7S 封装信息：PG-TO 220 FullPAK，标记为70S360P7

器件简介： - CoolMOS™是英飞凌技术公司首创的用于高电压功率MOSFET的革命性技术，基于超结(SJ)原理。 - CoolMOSTM P7是针对消费市场中对成本敏感的应用（如充电器、适配器、照明等）优化的平台。

引脚分配： - Gate Pin 1：栅极引脚 - Source：源极 - Drain：漏极

参数特性： - 700V的漏源电压(VDs) - 最大连续漏电流(1D)：12.5A（Tc=20°C），7.5A（Tc=100°C） - 脉冲漏电流(/o.pulse)：34A（Tc=25°C） - 门极阈值电压(V(Gs)th)：2.50V至3.50V - 门极电荷(Qg)：16.4nC - 存储时间(Eoss)：1.8nJ（@400V） - ESD等级(HBM)：2级

功能详解： - 优秀的热行为 - 集成的ESD保护二极管 - 符合JEDEC标准的器件验证 - 成本竞争力的技术 - 降低温度 - 高ESD鲁棒性 - 支持在更高开关频率下获得效率增益 - 支持高功率密度设计和小尺寸

应用信息： - 推荐用于充电器、适配器、照明应用等的反激拓扑结构 - 请注意：对于MOSFET并联，通常推荐在栅极上使用铁珠或单独的图腾柱

IPA70R360P7SXKSA1 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“IPA70R360P7SXKSA1”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货