IPA80R1K4CEXKSA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
SOT78
描述：
MOSFET N-CH 800V TO-220-3

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IPA80R1K4CEXKSA1 数据手册

MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS™CE 800VCoolMOS™CEPowerTransistor IPA80R1K4CE DataSheet Rev.2.1 Final PowerManagement&Multimarket 800VCoolMOS™CEPowerTransistor IPA80R1K4CE 1Description TO-220FP CoolMOS™CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance andruggednesstoallowstabledesignsathighestefficiencylevel. CoolMOS™800VCEcomeswithselectedpackagechoiceofferingthe benefitofreducedsystemcostsandhigherpowerdensitydesigns. Features •Highvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Lowgatecharge •Loweffectivecapacitances •Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforconsumergradeapplications Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Applications LEDLightingforretrofitapplicationsinQRFlybacktopology Source Pin 3 Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 1400 mΩ Qg.typ 23 nC ID,pulse 12 A Eoss@400V 1.8 µJ Body diode di/dt 400 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPA80R1K4CE PG-TO 220 FullPAK 8R1K4CE Final Data Sheet 2 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2015-06-23 800VCoolMOS™CEPowerTransistor IPA80R1K4CE TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Final Data Sheet 3 Rev.2.1,2015-06-23 800VCoolMOS™CEPowerTransistor IPA80R1K4CE 2Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 3.9 2.3 A TC = 25°C TC = 100°C - 12 A TC=25°C - - 170 mJ ID=1.2A; VDD=50V; see table 10 EAR - - 0.14 mJ ID=1.2A; VDD=50V; see table 10 Avalanche current, repetitive IAR - - 1.20 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 50 V/ns VDS=0...640V Gate source voltage (static) VGS -20 - 20 V static; Gate source voltage (dynamic) VGS -30 - 30 V AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 31 W TC=25°C Storage temperature Tstg -40 - 150 °C - Operating junction temperature Tj -40 - 150 °C - Mounting torque - - - 50 Ncm M2.5 screws Continuous diode forward current IS - - 3.9 A TC=25°C Diode pulse current2) IS,pulse - - 12 A TC=25°C Reverse diode dv/dt3) dv/dt - - 4 V/ns VDS=0...400V,ISD

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IPA80R1K4CEXKSA1

物料型号： - 型号：IPA80R1K4CE - 封装：PG-TO 220 FullPAK

器件简介： - CoolMOS™ CE是一种用于高电压功率MOSFET的革命性技术，结合了安全性、性能和鲁棒性，以实现最高效率水平的稳定设计。 - 800V CoolMOSTM 800V CE具有精选的封装选项，提供了降低系统成本和更高功率密度设计的优势。

引脚分配： - 漏极（Drain）：引脚2，标签 - 栅极（Gate）：引脚1 - 源极（Source）：引脚3

参数特性： - 漏源电压（VDs）：800V - 导通电阻（Ros(on).max）：1400毫欧 - 栅极电荷（Qgtyp）：23纳库仑 - 脉冲漏电流（lD.pulse）：12安培 - 反向导通电容（Eoss@400V）：1.8法拉 - 体二极管di/dt：400安培/秒

功能详解： - 该器件适用于QR Flyback拓扑的LED照明等应用。 - 推荐在栅极或单独的totem poles上使用铁氧体珠以实现MOSFET并联。

应用信息： - 主要用于LED照明，特别是QR Flyback拓扑的改装应用。

封装信息： - 封装类型：PG-TO 220 FullPAK - 标记：8R1K4CE

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