IPAN60R360P7SXKSA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TO-220-3
描述：
通孔 N 通道 650 V 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包

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IPAN60R360P7S MOSFET 600VCoolMOS™P7PowerTransistor PG-TO220FP TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding  commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya  lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) Drain Pin 2 Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage  acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction  losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith  smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD  protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Potentialapplications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS. Productvalidation QualifiedaccordingtoJEDECStandard Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 360 mΩ Qg,typ 13 nC ID,pulse 26 A Eoss @ 400V 1.6 µJ Body diode diF/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPAN60R360P7S PG-TO 220 FullPAK Narrow Lead Final Data Sheet Marking 60S360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-02-26 600VCoolMOS™P7PowerTransistor IPAN60R360P7S TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Final Data Sheet 2 Rev.2.0,2019-02-26 600VCoolMOS™P7PowerTransistor IPAN60R360P7S 1Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 9 6 A TC=25°C TC=100°C - 26 A TC=25°C - - 27 mJ ID=2.5A; VDD=50V; see table 10 EAR - - 0.14 mJ ID=2.5A; VDD=50V; see table 10 Avalanche current, single pulse IAS - - 2.5 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 80 V/ns VDS=0...400V Gate source voltage (static) VGS -20 - 20 V static; Gate source voltage (dynamic) VGS -30 - 30 V AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 22 W TC=25°C Storage temperature Tstg -40 - 150 °C - Operating junction temperature Tj -40 - 150 °C - Mounting torque - - - 50 Ncm M2.5 screws IS - - 9 A TC=25°C Diode pulse current IS,pulse - - 26 A TC=25°C Reverse diode dv/dt3) dv/dt - - 50 V/ns VDS=0...400V,ISD

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IPAN60R360P7SXKSA1

物料型号：IPAN60R360P7S

器件简介：这是英飞凌公司的600V CoolMOS™ P7系列功率MOSFET，是基于超结（SJ）原理的高电压功率MOSFET的革命性技术。CoolMOSTM P7系列是CoolMOSTM P6系列的后继产品。它结合了快速开关SJ MOSFET的优势和出色的易用性，例如非常低的振荡倾向、体二极管对硬换向的卓越鲁棒性以及出色的ESD能力。

引脚分配：Drain（漏极）- Pin 2，Gate（栅极）- Pin 1，Source（源极）- Pin 3。

参数特性： - 适合硬开关和软开关（PFC和LLC）的出色换向鲁棒性。 - 显著降低开关和导通损耗。 - 所有产品的ESD鲁棒性均大于2kV（HBM）。

功能详解： - 由于低振荡倾向和在PFC和PWM阶段的使用，易于使用和快速设计。 - 由于低开关和导通损耗，简化了热管理。 - 通过使用更小的封装和更高的制造质量，实现了更高的功率密度解决方案。

应用信息：适用于PC Silverbox、适配器、LCD & PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC阶段、硬开关PWM阶段和谐振开关阶段。

封装信息：PG-TO 220FP，带有123引脚。

产品验证：根据JEDEC标准进行合格验证。需要注意的是，对于MOSFET并联，通常推荐在栅极上使用铁珠或单独的图腾柱。

关键性能参数表格提供了包括最大漏源电压、导通电阻、栅极电荷、脉冲电流、能量损耗以及体二极管di/dt等参数的具体数值。

订购代码和封装标记信息也包含在内，例如IPAN60R360P7S对应PG-TO 220 FulIPAK - Narrow Lead封装，标记为60S360P7。

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