IPB013N06NF2SATMA1

物料型号：IPB013N06NF2S 器件简介：这款英飞凌的StrongIRFET™ N 通道 MOSFET 被优化用于广泛的应用，具有100%雪崩测试，无铅引脚镀层，符合RoHS标准，并且无卤素。

引脚分配：Drain（漏极）- Pin 2, Tab（焊盘）; Source（源极）- Pin 1; Gate（栅极）- Pin 3 参数特性：包括开启电压（Vos）、导通电阻（Ros(on).max）、电流（Io）、输出电容充电（Qoss）、0V至10V时的电容充电（Qc(0V..10V)）等。

功能详解：包括最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓、修订历史等详细信息。

应用信息：适用于多种应用，具体应用需参考数据手册。

封装信息：D²PAK 封装，标记为 "013N06NS"。

以上信息摘自英飞凌IPB013N06NF2S的数据手册，提供了详细的技术规格和应用指南。